英特爾公司針對行動電話推出新款快閃記憶體產品，內含5層超薄型記憶體晶片，採用堆疊技術達到更高的記憶體容量、更低的耗電量、以及最佳的空間使用效率。新產品採用Intel超薄堆疊型晶片規格封裝(Chip-Scale Packing, CSP)，搭配1.8伏特Intel StrataFlash®無線通訊記憶體，以協助製造商推出具備如相機、遊戲、以及電子郵件等功能的超薄型行動電話。
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<br>英特爾宣佈其快閃記憶體出貨量已累計達20億套，這項里程碑突顯快閃記憶體在行動電話與無線通訊市場的角色。英特爾的快閃晶片的出貨量花了12年才突破10億大關，但之後僅花3年的時間就突破20億套。此外，英特爾至今已推出超過1.5億套Intel®堆疊型晶片規格封裝(Intel Stacked-CSP)元件。
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<br>英特爾的堆疊型CSP產品，哂贸《询B型晶片規格封裝(Ultra-Thin Stacked-CSP)技術。這套先進的wafer thinning與封裝技術可達到更細薄的封裝高度以及更高的堆疊彈性。結合1.8伏特 Intel StrataFlash無線通訊記憶體以及新型超薄堆疊型CSP封裝技術，讓英特爾能提供體積超小且具吸引力的堆疊型產品解決方案。
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<br>這些先進的堆疊型CSP產品讓5層堆疊式晶粒(die)的封裝高度僅有1.0mm。產品搭載16位元與32位元匯流排，並提供SRAM、PSRAM、以及LP-SDRAM等規格。產品將於今年推出512Megabit(Mbit)的快閃記憶體版本，並將於明年推出1 Gigabit (Gbit) 快閃記憶體版本，以支援程式碼執行與大容量資料應用。這些產品將哂糜⑻貭栕钚碌亩鄬訂卧?Multi-level cell, MLC)快閃記憶體。
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<br>英特爾於1997年首度推出的MLC快閃記憶體, 將每個記憶體單元的儲存容量提高2倍，帶來更高的密度與更低的成本。耗電1.8伏特的英特爾StrataFlash無線通訊記憶體是英特爾第4代MLC快閃技術，採用0.13微米尖端製程。它是全球第一套低耗電MLC快閃記憶體，咦麟妷簝H有1.8伏特，大幅改進效能、電池續航力、並縮小在無線通訊裝置中的佔用空間。
<br>Intel 包含1.8伏特的StrataFlash無線通訊記憶體的超薄堆疊型CSP 產品，現已開始供應樣本，預定從2003年第3季開始量產。價格將視特定的快閃與RAM記憶體組合規格而定。
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<br>英特爾宣佈其快閃記憶體出貨量已累計達20億套，這項里程碑突顯快閃記憶體在行動電話與無線通訊市場的角色。英特爾的快閃晶片的出貨量花了12年才突破10億大關，但之後僅花3年的時間就突破20億套。此外，英特爾至今已推出超過1.5億套Intel®堆疊型晶片規格封裝(Intel Stacked-CSP)元件。
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<br>英特爾的堆疊型CSP產品，哂贸《询B型晶片規格封裝(Ultra-Thin Stacked-CSP)技術。這套先進的wafer thinning與封裝技術可達到更細薄的封裝高度以及更高的堆疊彈性。結合1.8伏特 Intel StrataFlash無線通訊記憶體以及新型超薄堆疊型CSP封裝技術，讓英特爾能提供體積超小且具吸引力的堆疊型產品解決方案。
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<br>這些先進的堆疊型CSP產品讓5層堆疊式晶粒(die)的封裝高度僅有1.0mm。產品搭載16位元與32位元匯流排，並提供SRAM、PSRAM、以及LP-SDRAM等規格。產品將於今年推出512Megabit(Mbit)的快閃記憶體版本，並將於明年推出1 Gigabit (Gbit) 快閃記憶體版本，以支援程式碼執行與大容量資料應用。這些產品將哂糜⑻貭栕钚碌亩鄬訂卧?Multi-level cell, MLC)快閃記憶體。
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<br>英特爾於1997年首度推出的MLC快閃記憶體, 將每個記憶體單元的儲存容量提高2倍，帶來更高的密度與更低的成本。耗電1.8伏特的英特爾StrataFlash無線通訊記憶體是英特爾第4代MLC快閃技術，採用0.13微米尖端製程。它是全球第一套低耗電MLC快閃記憶體，咦麟妷簝H有1.8伏特，大幅改進效能、電池續航力、並縮小在無線通訊裝置中的佔用空間。
<br>Intel 包含1.8伏特的StrataFlash無線通訊記憶體的超薄堆疊型CSP 產品，現已開始供應樣本，預定從2003年第3季開始量產。價格將視特定的快閃與RAM記憶體組合規格而定。
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