赛普拉斯和华力微电子展示可工作的采用55纳米嵌入式闪存IP的硅光电池
前言：
高性价比的SONOS嵌入式非易失性存储器为下一代智能卡和物联网应用带来高良率和具有可扩展性的工艺
2014年9月2日--嵌入式非易失性存储器解决方案的领先供应商赛普拉斯半导体公司，与中国最先进的专业晶圆代工厂上海华力微电子公司（HLMC）日前共同宣布，双方基于赛普拉斯55纳米工艺节点的SONOS（氧化硅氮氧化硅）嵌入式闪存技术的知识产权（IP），开发出可工作的硅光电池。这些硅光电池是为智能卡和物联网应用而设计。赛普拉斯的SONOS能带来较低的晶圆和裸片成本，以及无与伦比的用于未来深入开发的可扩展性。这一技术和设计IP将于2015年下半年提供给HLMC的大批量投产的客户。
HLMC于2014年1月获得了赛普拉斯55纳米SONOS嵌入式非易失性存储器（NVM）的工艺授权许可。该技术与其他嵌入式NVM方案相比具有显著的优势。为了插入标准的CMOS工艺，SONOS只需三层掩膜，而其他的嵌入式闪存技术则需要另外的9到12层。掩膜数量的减少意味着更低的制造成本。当加入到CMOS工艺之后，SONOS并不改变标准的器件特性或模式，因而能保护已有的IP。SONOS具有与生俱来的高良率和业界最佳的可靠性，10年的数据保存期，10万次编程、擦除寿命，以及对软错误的强大容错性能。赛普拉斯已成功展示了将SONOS扩展至40纳米和28纳米节点的能力，从而加速了未来IP的开发进程。
HLMC副总裁Jack Qi Shu说：“我们很高兴能用赛普拉斯的55纳米SONOS技术实现这一里程碑式的突破。这将为我们的客户带来显著的价值。SONOS是一项性价比很高的工艺，能实现很高的良率。其可靠性和效率对于批量很大的互联网和智能卡应用而言非常重要。”
赛普拉斯技术与知识产权事业部副总裁Sam Geha说：“我们与HLMC一起用SONOS技术实现55纳米硅光电池，充分证明了这一技术的可扩展性和设计便利性，以及HLMC在制造领域的专长。SONOS的低成本、高性能和可靠性对于快速成长的智能卡、物联网市场、银行卡、可穿戴电子设备和其他逻辑主导的产品而言，是非常理想的选择。赛普拉斯将和HLMC这样的市场领先者精诚合作，使SONOS成为业界嵌入式非易失性存储器平台的首选。”
关于上海华力微电子公司
公司于2010年在上海张江高科技园区创立，是中国大陆最先进的专业晶圆代工厂。华力拥有一个300毫米的工厂，最大产能为每月3万5千片晶圆。华力的工艺技术自55纳米技术节点起步，主要涵盖55纳米LP、40纳米LP、55纳米HV、55纳米e-Flash以及用于多种类型应用的专门技术。华力致力于为国内外客户提供全面的代工解决方案和增值服务。请访问华力网址获取更多详情：www.hlmc.cn。
赛普拉斯提供高性能、混合信号、可编程解决方案，可加快客户产品的上市进程并提供出色的系统价值。赛普拉斯的产品包括旗舰产品 PSoC® 1、PSoC 3 和 PSoC 5 可编程片上系统系列，及其多种衍生产品，如应用于触摸屏的 CapSense® 触摸感应和 TrueTouch® 解决方案。赛普拉斯在 USB 控制器领域居全球领先地位，这类产品中包括能提升多媒体手机的连接性和性能的高性能 West Bridge® 解决方案。此外，赛普拉斯还是 SRAM 存储器的全球领先供应商。赛普拉斯的产品应用于众多领域，包括消费类电子、手机、计算、数据通信、汽车、工业和军事等。赛普拉斯的股票在纳斯达克全球精选市场上交易，股票代码为 CY。如欲了解更多详情，敬请访问赛普拉斯网站：www.cypress.com。
