赛普拉斯的异步SRAM产品系列新添具有片上错误校正代码的低功耗MoBL器件
前言：
与没有ECC功能的SRAM相比，16 Mb SRAM的数据可靠性提高了几千倍同时可延长手持式设备的电池工作时间
2014年9月11日--静态随机存取存储器（SRAM）市场领导者赛普拉斯半导体公司日前宣布，其具有错误校正代码（ECC）的16Mb低功耗异步SRAM 已开始出样。全新MoBL® (More Battery Life™，更久电池续航) SRAM的片上ECC功能可使之具有最高水准的数据可靠性，而无需另外的错误校正芯片，从而简化设计并节省电路板空间。该MoBL器件可延长工业、军事、通讯、数据处理、医疗和消费电子等应用领域里手持设备的电池续航时间。
背景辐射造成的软错误可损坏存储内容，丢失重要数据。赛普拉斯新型异步SRAM中的硬件ECC模块可在线执行所有错误校正动作，无需用户干预，因而具有业界最佳的软错误率（SER）性能，错误率仅有0.1 FIT/Mb（1个FIT相当于器件每工作十亿小时发生一个错误）。 这些新器件与现有的异步低功耗SRAM管脚兼容，客户不必更改电路板设计即可提高系统可靠性。16Mb MoBL 异步SRAM还具有可选的错误指示信号，可指示单位（Single-Bit）错误的发生和校正。
赛普拉斯异步SRAM事业部高级总监Sunil Thamaran说：“自从我们去年推出带ECC的快速SRAM以来，客户反响非常强烈。在这一系列中增加MoBL器件，可使更多的应用受益于我们的片上ECC技术。赛普拉斯致力于不断开发SRAM新技术，更好地为客户服务，巩固我们毫无争议的市场领导地位。”
赛普拉斯的16Mb MoBL异步SRAM具有业界标准的x8, x16 和 x32配置。器件具有多种工作电压（1.8V， 3V和5V），工作温度范围为-40◦C 至 +85◦C（工业级）和-40◦C 至 +125◦C（汽车级）。
供货情况
这些全新SRAM目前已有工业温度范围的样片，预计2014年11月份量产。这些器件以符合RoHS标准的48-pin TSOP I、 48-ball VFBGA、 119-ball BGA方式封装。
关于赛普拉斯SRAM
赛普拉斯的SRAM拥有全球第一的市场占有率，是绝无仅有的能融合高性能、高可靠性和超长生命周期等特色的SRAM产品，这些特色对于无处不在的互联网和关键任务系统来说都是至关重要的。上和赛普拉斯的SRAM拥有长达30多年的历史和强大的知识产权集合，具有全球最佳的速度、功耗和可靠性，能满足最苛刻的系统要求。赛普拉斯还是唯一能提供所有品类SRAM产品的公司，包括同步、异步、双端口和非易失性SRAM。赛普拉斯的SRAM广泛应用在全球各地的网络、工业、汽车、军事和航空航天，以及医疗系统中。赛普拉斯与客户及合作伙伴密切协作，不断开发新的SRAM品类，以满足未来互联网和物联网对产品性能的要求。
关于赛普拉斯
赛普拉斯提供高性能、混合信号、可编程解决方案，可加快客户产品的上市进程并提供出色的系统价值。赛普拉斯的产品包括旗舰产品 PSoC® 1、PSoC 3、PSoC 4 和 PSoC 5 可编程片上系统系列。赛普拉斯是全球电容式用户界面解决方案领域的领导者，产品包括应用于触摸感应的 CapSense®，用于触摸屏的TrueTouch® 和用于笔记本电脑、PC及外设的trackpad解决方案。赛普拉斯在 USB 控制器领域居全球领先地位，产品主要用于提升诸多消费和工业产品的连接性和性能。此外，赛普拉斯还是 SRAM 和非易失性RAM存储器的全球领先供应商。赛普拉斯的产品应用于众多领域，包括消费类电子、手机、计算、数据通信、汽车、工业和军事等。赛普拉斯的股票在纳斯达克全球精选市场上交易，股票代码为 CY。如欲了解更多详情，敬请访问赛普拉斯网站：www.cypress.com。
