英飞凌科技宣布首款E-GOLDvoice芯片在其德勒斯登厂首度制造及测试便获得成功，而且已经用于GSM网络的电话通信。E-GOLDvoice是移动电话技术中整合度最高的芯片，在8 x 8平方亳米的面积内结合移动电话所有基本的电子组件。这高度整合的芯片能够进一步降低一组完备的移动电话所需的材料费用。
英飞凌的董事暨通讯方案事业部负责人Prof. Hermann Eul教授表示，“此项成功的芯片作业证明了英飞凌创新的整合策略 ─ 把已确立的技术中所有功能放进一个单一的芯片中从而降低费用与节省空间。目前Duisburg与Sophia-Antipolis的开发人员已经取得卓越的成果。有了E-GOLDvoice及少于50个其它的电子组件，才首次有可能制造四平方公分电路板来配置完整GSM功能的行动电话。”
这种GSM芯片采用成熟的130纳米互补式金属氧化物半导体 (CMOS) 技术所制造，而且是全世界首款不仅将基频处理器 (baseband processor) 以及在手机与基地台间传输语音的射频 (RF) 部份整合在一个单芯片上，同时也整合SRAM记忆与电力管理。而以前，仅电力管理芯片就需要7 x 7平方亳米的面积。
如今英飞凌的超低成本第一代 (ULC1) 平台与E-GOLDradio芯片为基础的超低成本行动电话已经进行量产几个月，而以E-GOLDvoice芯片为中心的第二代ULC2 平台行动电话也准备得如火如荼。工程样品 (engineering sample) 预计将在七月提供。
英飞凌的董事暨通讯方案事业部负责人Prof. Hermann Eul教授表示，“此项成功的芯片作业证明了英飞凌创新的整合策略 ─ 把已确立的技术中所有功能放进一个单一的芯片中从而降低费用与节省空间。目前Duisburg与Sophia-Antipolis的开发人员已经取得卓越的成果。有了E-GOLDvoice及少于50个其它的电子组件，才首次有可能制造四平方公分电路板来配置完整GSM功能的行动电话。”
这种GSM芯片采用成熟的130纳米互补式金属氧化物半导体 (CMOS) 技术所制造，而且是全世界首款不仅将基频处理器 (baseband processor) 以及在手机与基地台间传输语音的射频 (RF) 部份整合在一个单芯片上，同时也整合SRAM记忆与电力管理。而以前，仅电力管理芯片就需要7 x 7平方亳米的面积。
如今英飞凌的超低成本第一代 (ULC1) 平台与E-GOLDradio芯片为基础的超低成本行动电话已经进行量产几个月，而以E-GOLDvoice芯片为中心的第二代ULC2 平台行动电话也准备得如火如荼。工程样品 (engineering sample) 预计将在七月提供。
