恩智浦半导体突破性提升LDMOS基地台功率效能

恩智浦半导体 (NXP Semiconductors)（由飞利浦创建的独立半导体公司）今天推出BLC7G22L（S）-130基地台功率晶体管，这是恩智浦应用其领先业界的第七代横向扩散金属氧化物半导体（Laterally Diffused Metal Oxide Semiconductor；LDMOS）技术的首款产品，专为高功耗和Doherty放大器应用进行最佳化。恩智浦的第七代LDMOS技术可以实现目前功效最高的LDMOS解决方案，与上一代产品相比，功率密度提升了20%，功率效能增长了两个百分点，而Rth热阻则降低25%以上。恩智浦第七代LDMOS基地台前期晶体管的初款原型将于2008年美国乔治亚州亚特兰大举办的IEEE MTT-S国际微波研讨会期间进行展示。

恩智浦RF功率产品线营销部门经理Mark Murphy表示︰“随着电信系统商开始提供以HSDPA和LTE等技术为基础的超高速服务，无线网络基础设施的功率需求也已达到空前的水平。恩智浦如今利用第七代LDMOS技术，推出业界性能最高的LDMOS基地台电晶管，其功率增加效率远高于目前市场上的任何产品。”

第七代LDMOS的性能达到3.8GHz创下新纪录，且输出电容减少25%，可实现宽带输出匹配，进而设计出更简单、性能更好的Doherty放大器。Doherty经成为新型基地台发射器的首选放大器架构，帮助无线网络系统商提升效率并降低成本。

ABI Research射频（RF）组件与系统研究总监Lance Wilson表示︰“随着数据驱动型服务逐渐成为无线基础设施的重要条件，顶尖的RF功率放大器性能就成为必备。恩智浦的第七代LDMOS技术，凭着在功率密度和热性能方面的重大进步，必定成为该公司进入相关应用顶级设备市场时的重要资产。”

供货

恩智浦的第七代LDMOS新型基地台晶体管将于6月15日到6月20日在MTT-S国际微波研讨会的第523号摊位进行展示。BLC7G22L（S）-130的工程样片将于2008年第三季问世。以恩智浦第七代LDMOS技术为基础的其它产品将于2009年推出。

有关恩智浦第七代LDMOS技术的其它讯息，请参考恩智浦半导体RF功率产品目录，网址为 http://www.rfpower.nl/cdrom。

关于恩智浦半导体

恩智浦是飞利浦在50多年前创建的全球十大半导体公司。公司总部位于欧洲，在全球超过20个国家拥有37,000名员工，2007年公司营业额达到63亿美元。恩智浦提供半导体、系统解决方案和软件，为手机、个人媒体播放器、电视、机上盒、智能识别应用、汽车以及其它广泛的电子设备提供更好的感官体验。关于更多恩智浦的新闻，请参观网站www.nxp.com

前瞻性陈述

本新闻稿中可能包含有关恩智浦半导体财务状况、营运与业务成效的前瞻性陈述，以及恩智浦半导体关于这些内容的计划与目标。由于其特性，前瞻性陈述中将包含风险和不确定性，因其涉及到一些事件，并且依赖未来的环境，同时很多因素也会影响最终结果和进展，使之偏离这些前瞻性陈述的论述与暗示。