华虹宏力技术论坛首次登陆美国 圆满落幕

本文作者:华虹宏力       点击: 2016-10-28 08:12
前言:
2016年10月26日--全球领先的200mm纯晶圆代工厂──华虹半导体有限公司(股份代号:1347.HK)之全资子公司上海华虹宏力半导体制造有限公司(“华虹宏力”)2016年度技术论坛在美国圆满落幕,这是华虹宏力新设合并后首次在海外举办技术论坛。在技术论坛上,华虹宏力展示了其物联网(IoT)时代下的先进制造技术以及全方位的绿色智能代工解决方案,吸引了来自美国各地的诸多半导体芯片设计公司、技术合作伙伴与设备材料工具供应商等参与交流。
 
本次论坛围绕智能物联,绿色创“芯”主题展开,由华虹宏力北美及日本销售副总裁林宏哲博士主持。首先,华虹宏力执行副总裁范恒先生致欢迎辞,并简要回顾了公司发展历程和取得的成绩。他说,华虹宏力坚持立足于差异化工艺技术的持续创新,积极开发新项目新技术,不断完善和优化现有工艺平台,在嵌入式非易失性存储器技术、功率器件以及电源管理技术等领域位居世界领先地位。公司自成立以来,持续致力于海内外市场拓展,业绩大幅度提升。今年第二季度,销售收入达1.777亿美元,创历史新高。他感谢所有客户和合作伙伴长期以来对华虹宏力的信任和支持,表示今后华虹宏力将持续创新,为全球客户制造“芯”梦想,使人们的生活变得更加美好。
 
华虹宏力战略、市场与发展部部长胡湘俊先生向客户介绍了公司业务发展现状,并描绘了公司技术蓝图。他表示,华虹宏力在上海营运三座200mm晶圆厂,目前月产能总计达15.2万片。持续进行的产能扩充已显现成效,预期将在可预见市场获得更多的发展机遇。华虹宏力在嵌入式非易失性存储器技术方面又有新的突破,90纳米eFlash/eEEPROM技术已实现风险量产。华虹宏力将继续提高在不同技术层面的整合能力,尤其是对低功耗嵌入式闪存技术和低成本CMOS射频技术的整合。华虹宏力还将持续减小存储单元及IP模块的面积,进一步优化先进的差异化技术,为不同客户提供高效能、具成本效益的增值解决方案。
 
华虹宏力技术团队在技术论坛上发表了各类专题研讨,与合作伙伴们分享交流,包括华虹宏力目前的嵌入式闪存技术、BCD和功率器件技术、Si-Based射频技术、汽车电子等特色工艺技术的最新成果。通过此次技术论坛,华虹宏力的最新技术和服务都传达给了与会嘉宾。
 
智能生活,嵌入式存储器工艺完美表现
作为嵌入式非易失性存储器技术的领导企业,华虹宏力已在智能卡和物联网方面耕耘多年。公司有SONOS Flash和SuperFlash技术,以及eFlash+高压和eFlash+射频(RF)两个衍生工艺平台,技术节点涵盖0.18微米到90纳米,可将自身一流的嵌入式存储器技术、低功耗数模混合技术及低成本CMOS射频技术整合于一体。同时还可为客户提供高性能、高密度的标准单元库,并可根据不同需求为客户定制高速度、低功耗、超低静态功耗的嵌入式闪存IP、嵌入式电可擦可编程只读存储器(EEPROM)IP,可帮助客户减小低功耗设计难度,抢占市场先机。华虹宏力持续在中国提供最优的智能卡IC解决方案。在公司0.11微米的嵌入式非易失性存储器平台上,华虹宏力一个主要客户的安全芯片从国际权威认证机构获得通用标准(Common Criteria)EAL5+安全认证证书。这是中国首个取得该项最严格的通用标准认证的智能卡芯片,代表着国内银行卡及其他金融应用安全芯片解决方案的重要里程碑。
 
在迅速发展的微控制器市场趋势下,华虹宏力推出了0.11微米超低漏电(ULL)嵌入式闪存及eEEPROM最新技术平台,实现了超低功耗数字模拟混合信号技术、嵌入式闪存技术与低成本射频CMOS技术的完美结合。该平台针对客户的需求提供全面、灵活及具成本效益的解决方案,并减少了产品面市时间,广泛应用于物联网、可穿戴设备、智能电网、嵌入式智能连接设备、医疗电子设备以及智能照明、工业及汽车电子设备等诸多节能智能产品中。
 
公司对其具成本效益的0.18微米技术平台进行升级,支持混合信号应用,提供嵌入式一次性可编程(OTP)及多次可编程(MTP)解决方案。该技术拥有业内最低的光罩层数、面积较小的IP模块且读写速度更快及功耗更低,为客户提供更具成本效益且可用于多种应用的微控制器解决方案。此外,其也为使用现有0.35微米技术平台的传统产品提供了升级途径。
 
绿色节能,功率器件/电源管理IC技术应用广泛
随着绿色经济的兴起,节能降耗已成潮流。作为开关电源、马达驱动、LED驱动、新能源汽车和智能电网等产品和系统的核心器件之一,高效能的功率半导体器件是降低功耗、提高效率的关键。华虹宏力可为客户提供独特的、富有竞争力的超级结MOSFET(Super Junction, SJNFET)和场截止型 (Field Stop, FS)IGBT工艺。其中先进的第二代SJNFET及优化版技术和新一代的600V~1200V FS IGBT已实现量产,器件性能达到业界一流水平。华虹宏力将在不久后推出具备更低导通电阻和更小芯片面积的第三代SJNFET工艺平台,进一步巩固公司在功率分立器件领域的领先地位,为日益增长的移动终端、LED照明和新能源汽车等热点应用,提供更低功耗、更高效、更小尺寸的绿色芯制造平台。
 
随着客户对绿色、节能和效率需求的日益增加,出色的电源管理IC(PMIC)技术显得尤为重要。华虹宏力作为完整的功率IC代工方案提供商,可提供久经验证的CMOS模拟和更高集成度的BCD/CDMOS工艺平台。其技术涵盖1微米到0.13微米,电压范围覆盖1.8伏到700伏,性能卓越、质量可靠,可广泛应用于PMIC、快速充电(Fast Charge)、手机/平板电脑PMU以及智能电表等产品领域。
 
基于华虹宏力占据国内最大市场份额的第一代技术平台,新一代超高压0.5微米 700V BCD技术平台已实现量产,良率超过98%。这为AC/DC转换器及LED照明等节能产品提供了具有高度竞争力及行业领先优势的单芯片解决方案。华虹宏力超高压700V BCD技术迎合了节能环保热点,此工艺平台所支持的高压小电流LED 照明驱动应用市场发展前景十分广阔。我们将继续增强用于LED照明的先进差异化工艺技术组合,即将推出的更具竞争力的0.18微米BCD 40V,可满足客户多种需求。华虹宏力的CZ6模拟系列平台,在业内有着广泛知名度,更是以稳定可靠的质量而著称。展望未来,我们将拓展先进的电源管理平台,为客户提供一整套具成本效益的解决方案。
 
万物互联,射频技术智能连接
近年来,随着移动互联网和无线通讯技术的蓬勃发展,射频芯片在智能终端和消费类电子产品中的应用越来越多。射频SOI工艺非常适合用于智能手机以及智能家居、可穿戴设备等智能硬件所需的射频前端芯片。公司推出了0.2微米射频绝缘体上硅(SOI)工艺设计套件(PDK)。该设计套件有助于客户提高设计流程的效率及输出优质的射频组件,从而减少设计改版及缩短产品推出市场的时间。我们将积极推进射频SOI技术在国内市场的业务发展,帮助客户抢占先机。
 
此外,华虹宏力还可提供一系列高性能且具备成本效益的射频解决方案,包括射频CMOS,高阻硅IPD(集成无源器件)以及配备射频 PDK的嵌入式闪存工艺平台。
 
绿色出行,汽车电子安全保障
智能化和网络化正在成为汽车技术发展的新潮流,车联网是物联网在汽车领域的一个细分应用,是移动互联网、物联网向业务实质和纵深发展的必经之路,是今后信息通信、环保、节能、安全等发展的融合性技术,未来市场潜力可期。
 
汽车产业发展经历了几个阶段,从燃油车发展到油电混合汽车,气电混合汽车,再到纯电动汽车。半导体芯片遍布汽车全身的各个模块,用量越来越大,市场规模增长迅速。华虹宏力在汽车电子领域进行了全面布局,经过10几年的研发积累,其嵌入式闪存工艺、电源与模拟工艺以及分立器件工艺等特色工艺技术在汽车电子方面有广泛的应用前景。
 
华虹宏力自2005年起就通过了ISO/TS16949汽车行业质量管理体系认证,并自2008年起开始建立汽车电子零缺陷体系。目前,华虹宏力拥有国内唯一的汽车级嵌入式闪存工艺平台,符合汽车电子AEC-Q100 Grade-1标准的高可靠性嵌入式闪存技术。此外,公司还获得德国汽车工业VDA6.3过程质量审核的A级标准认证,拥有汽车电子技术迁移的丰富经验并保持量产零退货记录。
 
华虹宏力的分立器件平台包括平面型、场截止型等多种IGBT工艺, SJNFET工艺,以及平面型、沟槽型功率MOSFET工艺等,这些技术在汽车电子方面已有较多的应用和出货。随着新能源汽车和工业4.0的快速发展,作为电动汽车电机驱动和电源模块的核心器件,分立器件的市场潜力巨大。
 
关于华虹宏力
上海华虹宏力半导体制造有限公司(以下简称“华虹宏力”),由原上海华虹NEC电子有限公司和上海宏力半导体制造有限公司新设合并而成,是世界领先的200mm纯晶圆代工厂。华虹宏力在上海张江和金桥共有3条200mm集成电路生产线,月产能达15.2万片,工艺技术覆盖1微米至90纳米各节点,在标准逻辑、嵌入式非易失性存储器、电源管理、功率器件、射频、模拟和混合信号等领域形成了具有竞争力的先进工艺平台,并正在持续开发多种微机电系统(MEMS)工艺解决方案。公司总部位于中国上海,在中国台湾、日本、北美和欧洲等地均提供销售与技术支持。
 
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