美商超微半导体 (AMD) 的研发人员日前在日本京都举行的集成电路研讨会上详细介绍多种目前最高效能的晶体管。
AMD放弃业界普遍采用的多晶硅(Polysilicon)作为晶体管闸门的原料，改用称为硅化镍(Nickel Silicide)的原料，为晶体管装设“金属闸门”。该公司将金属闸门与全空乏绝缘硅整合在一起，成功开发一种全新的 PMOS 晶体管，这种晶体管的独特之处是闸门导电性有大幅的提升，而且晶体管本身更提供适用的功函数(engineered workfunction)以及具有更高的载体迁移率(carrier mobility)。由于这种 PMOS 晶体管拥有这些优点，因此其开关速度比任何现有的 PMOS 晶体管快 30% (以截至测试时所取得的公布资料为准)。
AMD 整合金属闸门及受压硅晶技术而成功开发的 NMOS 晶体管也拥有 PMOS 晶体管的优点，例如闸门导电性的大幅提升、适用的功函数以及更高的载体迁移率，同时NMOS 晶体管的受压硅晶层也有助进一步提高迁移率。
AMD放弃业界普遍采用的多晶硅(Polysilicon)作为晶体管闸门的原料，改用称为硅化镍(Nickel Silicide)的原料，为晶体管装设“金属闸门”。该公司将金属闸门与全空乏绝缘硅整合在一起，成功开发一种全新的 PMOS 晶体管，这种晶体管的独特之处是闸门导电性有大幅的提升，而且晶体管本身更提供适用的功函数(engineered workfunction)以及具有更高的载体迁移率(carrier mobility)。由于这种 PMOS 晶体管拥有这些优点，因此其开关速度比任何现有的 PMOS 晶体管快 30% (以截至测试时所取得的公布资料为准)。
AMD 整合金属闸门及受压硅晶技术而成功开发的 NMOS 晶体管也拥有 PMOS 晶体管的优点，例如闸门导电性的大幅提升、适用的功函数以及更高的载体迁移率，同时NMOS 晶体管的受压硅晶层也有助进一步提高迁移率。
