全球性半导体制程设备、技术及支持服务供货商--FSI International (Nasdaq代码：FSII)日前宣布推出全新ViPR™技术。此一创新技术让大部分的植入光阻去除工艺不再需要电浆灰化后清洗处理 (ashing)，这包括1×1017离子/平方公分的电浆掺杂 (PLAD) 光阻剂。FSI已将ViPR技术用于ZETA® G3喷雾清洗平台。
新技术为前段工艺省下将近八成的电浆灰化清洗步骤，使得FSI能够提供一套解决方案协助半导体厂商减少表面损害、材料耗损、生产周期时间和资本的投入。随着植入光阻的层数持续增加，材料耗损和表面损害的容忍范围又日益缩小，光阻去除已成为整个半导体制造产业必须面对的严苛挑战。FSI预期65和45奈米制程都须使用ViPR技术，而部份90奈米的生产制造也将使用此一技术。
ViPR工艺利用FSI专属的化学物质混合、输送和温控技术来清除高度植入的光阻剂，FSI ZETA喷雾处理设备的独特设计则是新工艺成功的重要关键。相形之下，浸泡式或单晶圆清洗平台的湿式光阻去除技术则无法有效清除高度植入的光阻剂。
FSI主席暨执行长Don Mitchell表示﹕"ViPR技术不仅强化我们的后灰化清洗能力，同时也扩大了我们在光阻去除市场的支持范围。我们与主要客户合作开发这项技术，更高兴能提供一套制程解决方案协助半导体厂商减少材料耗损、表面损害、周期时间和成本以强化其竞争优势。首批采用ViPR技术的ZETA G3设备已于3月出货，主要用于制程最佳化、整合及认证。"
FSI的ZETA G3平台利用上一代ZETA设备的功能，提供半导体厂商更佳效能与更高生产力。ZETA的G3硬件独家支持ViPR，并具备功能更强大的机械手臂，可使某些特定应用最多提高两成的产出。ZETA G3平台专为12吋晶圆前段工艺和后段工艺的批次型喷雾清洗应用而设计，其功能并已通过90、65和45奈米技术的严格考验。
ZETA设备利用离心式喷雾以及各种化学物质输送技术完成化学物质的准备并控制其成份和温度，然后将它们直接送到晶圆表面。ZETA设备已证明能支持许多应用，包括自我对准金属硅化结构 (salicide formation) 的钴和镍蚀刻、光阻去除和电浆灰化后清洗、非超音波式微粒去除以及晶圆回收。除此之外，FSI还发展出镍铂薄膜专用的PlatNiStrip™工艺以协助半导体厂商在65奈米节点建置salicide结构。
新技术为前段工艺省下将近八成的电浆灰化清洗步骤，使得FSI能够提供一套解决方案协助半导体厂商减少表面损害、材料耗损、生产周期时间和资本的投入。随着植入光阻的层数持续增加，材料耗损和表面损害的容忍范围又日益缩小，光阻去除已成为整个半导体制造产业必须面对的严苛挑战。FSI预期65和45奈米制程都须使用ViPR技术，而部份90奈米的生产制造也将使用此一技术。
ViPR工艺利用FSI专属的化学物质混合、输送和温控技术来清除高度植入的光阻剂，FSI ZETA喷雾处理设备的独特设计则是新工艺成功的重要关键。相形之下，浸泡式或单晶圆清洗平台的湿式光阻去除技术则无法有效清除高度植入的光阻剂。
FSI主席暨执行长Don Mitchell表示﹕"ViPR技术不仅强化我们的后灰化清洗能力，同时也扩大了我们在光阻去除市场的支持范围。我们与主要客户合作开发这项技术，更高兴能提供一套制程解决方案协助半导体厂商减少材料耗损、表面损害、周期时间和成本以强化其竞争优势。首批采用ViPR技术的ZETA G3设备已于3月出货，主要用于制程最佳化、整合及认证。"
FSI的ZETA G3平台利用上一代ZETA设备的功能，提供半导体厂商更佳效能与更高生产力。ZETA的G3硬件独家支持ViPR，并具备功能更强大的机械手臂，可使某些特定应用最多提高两成的产出。ZETA G3平台专为12吋晶圆前段工艺和后段工艺的批次型喷雾清洗应用而设计，其功能并已通过90、65和45奈米技术的严格考验。
ZETA设备利用离心式喷雾以及各种化学物质输送技术完成化学物质的准备并控制其成份和温度，然后将它们直接送到晶圆表面。ZETA设备已证明能支持许多应用，包括自我对准金属硅化结构 (salicide formation) 的钴和镍蚀刻、光阻去除和电浆灰化后清洗、非超音波式微粒去除以及晶圆回收。除此之外，FSI还发展出镍铂薄膜专用的PlatNiStrip™工艺以协助半导体厂商在65奈米节点建置salicide结构。
