集成电路领先制造商上海宏力半导体制造有限公司和ARM公司共同宣布，宏力半导体获得ARM7TDMI® 和 ARM926EJ™处理器以及相关的ARM Embedded Trace MacrocellTM（ETM9TM）片上调试外设，从而加入了ARM代工厂计划。这项授权协议标志着宏力半导体第一次获得ARM CPU的授权，这将帮助宏力半导体实现更快的片上系统设计和制造的上市时间。
宏力半导体全球销售和市场执行副总裁郭天全博士表示：“我们同ARM的合作将会为我们现有的和新的无晶圆厂客户提供更多的设计选择、更短的设计周期和更快地上市时间。通过ARM代工厂计划，我们获得了为诸多嵌入式计算应用制造高性能、低功耗SoC设计所需的工具和支持。”
这次授权协议是在去年九月宏力半导体获得ARM Artisan® 物理IP的基础上签订的。上次授权内容包括Sage-XTM标准单元库、通用I/O和内存发生器，用于支持宏力半导体的0.18微米和0.13微米工艺技术。（请参见2005年12月20日新闻稿：宏力半导体采用ARM物理IP扩展其0.18和0.13微米工艺）
通过这一新的代工厂计划授权，宏力半导体将可以充分利用ARM7TDMI 和 ARM926EJ处理器和ETM-9片上调试外设。根据代工厂计划的条款，双方的客户都可以快速整合及完成包含这两种芯片中任一款的SoC设计。ARM7TDMI处理器目前可在0.18微米工艺下提供，ARM926EJ处理器和ETM9 宏单元将首先在0.13微米工艺下提供，未来将在其他工艺下提供。
ARM中国总裁谭军博士表示：“宏力半导体对ARM代工厂计划的支持将会使我们的无晶圆厂半导体合作伙伴可以使用全系列的处理器技术，加快他们产品的上市时间。我们同宏力半导体的合作进一步充实了ARM技术所能提供的服务，并将帮助中国电子市场的进一步发展。”
宏力半导体全球销售和市场执行副总裁郭天全博士表示：“我们同ARM的合作将会为我们现有的和新的无晶圆厂客户提供更多的设计选择、更短的设计周期和更快地上市时间。通过ARM代工厂计划，我们获得了为诸多嵌入式计算应用制造高性能、低功耗SoC设计所需的工具和支持。”
这次授权协议是在去年九月宏力半导体获得ARM Artisan® 物理IP的基础上签订的。上次授权内容包括Sage-XTM标准单元库、通用I/O和内存发生器，用于支持宏力半导体的0.18微米和0.13微米工艺技术。（请参见2005年12月20日新闻稿：宏力半导体采用ARM物理IP扩展其0.18和0.13微米工艺）
通过这一新的代工厂计划授权，宏力半导体将可以充分利用ARM7TDMI 和 ARM926EJ处理器和ETM-9片上调试外设。根据代工厂计划的条款，双方的客户都可以快速整合及完成包含这两种芯片中任一款的SoC设计。ARM7TDMI处理器目前可在0.18微米工艺下提供，ARM926EJ处理器和ETM9 宏单元将首先在0.13微米工艺下提供，未来将在其他工艺下提供。
ARM中国总裁谭军博士表示：“宏力半导体对ARM代工厂计划的支持将会使我们的无晶圆厂半导体合作伙伴可以使用全系列的处理器技术，加快他们产品的上市时间。我们同宏力半导体的合作进一步充实了ARM技术所能提供的服务，并将帮助中国电子市场的进一步发展。”
