中芯国际采用ARM Physical IP 之低耗电与高效能设计 达到90 nm工艺技术节点

本文作者:admin       点击: 2006-05-30 00:00
前言:
中芯国际集成电路制造有限公司与ARM 共同宣布,中芯国际的90 nmLL (低漏电) 与G (主流) 工艺,已采用隸属于Artisan® Physical IP之ARM® Metro™ 低耗电/高密度及Advantage™ 高效能产品。双方达成的协议进一
步扩展彼此间之合作,透过ARM 网站免费提供解决方案,协助业者开发尖端设计与解决方案。

中芯国际设计服务部门副总裁Paul Ouyang 表示:"延续与ARM 之间的合作,使我们能够提供一项更完备的生产藍图,包括为客户提供ARM 高品质并且经过晶片验证过的Physical IP。与ARM 的合作,让顾客能运用中芯国际的90 nm工艺,同时采用ARM Metro 与Advantage 系列产品,协助客户缩短设计时间、降低风险、并加快产品上市时程。"

ARM Metro 低耗电/高密度IP 是专为可携式电子装置所设计;而Advantage 除了低耗电之表现外,更提供高速之运作效能,满足消费性、通讯、以及网路市场中各种应用的需求。Metro 与Advantage 系列产品都含有ARM 的standard cell 以及多种内存编译器。Metro standard cell 包括电源管理套件,支持各种动态与漏电功耗节省技术,例如像时脉控制闸、多重电压模式、以及功耗控制闸。Metro 内存编译器提供類似的先进功耗节省功能。

Metro 与Advantage 系列IP 包括ARM 阵容完整的设计检视与开发模块,能整合许多业界主流电子设计自动化(EDA)工具。这些检视方案针对Metro 与Advantage产品提供功能、时序、以及功耗等方面的信息,藉以涵盖各种运作条件,让研发业者能建置复杂的耗电率管理系统,在其SoC 中主动控制动态与漏电功耗。

ARM Physical IP 行销副总裁Neal Carney 表示:"中芯国际的先进技术发展藍图持续为顾客提供各种建置解决方案,满足业者对现今SoC 设计的需求。中芯国际在采用ARM 之Metro 与Advantage 系列产品,提供客户获得针对消费性、通信协定、以及网路应用推出最佳化的Physical IP 解决方案。"

供应时程
ARM Metro 与Advantage IP 设计检视方案将在2006 年第四季开放让授权,透过ARM网站供免费下载使用。初期Front End 设计检视方案,让客户能提早开始设计与仿真作业,预定在2006年第二季底推出。