绝缘层上覆硅（SOI）晶圆与其它半导体生产用工程基板的领导制造商Soitec（Euronext Paris）宣布其应用于65nm线宽以下工艺的应变绝缘硅（sSOI）晶圆已经上市，并成为业界首款因应未来需求而量产的商业基板。综合应变绝缘硅的高移动速度优势，以及绝缘层上覆硅具备的高速与低功率耗损特性，Soitec的新应变绝缘硅晶圆设计，可为新一代芯片带来更多在效能及功率上的优势。
Soitec总裁暨执行长André-Jacques Auberton-Hervé表示："最新一批绝缘层上覆硅基板，目标锁定网络处理、运算、游戏及高端无线产业内的进阶应用，而对这些应用来说，速度及极低功率十分重要。除了让芯片制造商可以更进一步扩大其产品的效能与功率优势，我们新的应变绝缘硅晶圆将会是未来之可延伸平台。"
应变绝缘硅技术的领导发明厂商—飞思卡尔半导体（Freescale Semiconductor）奥斯汀分公司硅晶技术解决方案总监Suresh Venkatesan指出，在不影响持续提升晶体管效能的情况下，控制使用中与储备能源用量，是带动产业发展创新、非传统收缩技术的动力。Suresh Venkatesan说："应变绝缘硅技术是Freescale晶体管产品发展计划内创新发明的最好例子。目前这项技术正在进行45奈米结点的评估，初期目标是网络与游戏应用，最终必能协助Freescale的客户制造更微小、功能更强大的娱乐电子产品及智能型可携式装置。"
应变绝缘硅未来发展方向
Soitec指出，新一批应变绝缘硅基板之所以能吸引客户的兴趣，主要来自于市场与技术领导厂商希望能大幅提升电子移动速度，同时降低闸极的漏电与耗电量。此外，应变绝缘硅可协助克服CMOS制程感应的应变技术所带来的收缩问题，并为调整频宽间隙打开了一扇门。目前，Soitec为部分及完全耗尽装置架构，提供应变绝缘硅产品。由于应变绝缘硅与目前绝缘层覆硅和CMOS的制程兼容，并经证实可用于多鳍状通道电晶体（FinFETs）或多闸极通道晶体管（Multigate FETs）、 加上显著的移动能力增加与未来延伸性，应变绝缘硅对65奈米以下的装置来说，扮演十分重要的角色。
为达到客户对发展中应变绝缘硅的要求，Soitec已将其300mm应变绝缘硅平台从开发转换到第一阶段的量产，这与公司进一步扩展产能，以符合市场要求的策略计划一致。Auberton-Hervé总结："就像当初发展绝缘层上覆硅一样，我们将开始进行初期制造以因应早期使用者的需要。接下来，当主流市场开始大量使用这项创新基板技术时，便启动量产步骤。此时，我们会持续专注于提高品质以符合客户不断演变的技术需求。"
Soitec Group是全球工程基板创新与制造的领导者，为现今最先进的电子产品与奈米技术提供发展基础。公司总部位于法国Bernin，生产众多工程基板，其中包括SOI与应变绝缘硅，并运用Soitec专利Smart Cut™技术 –业界奉行的标准。Soitec拥有遍布全球的经营据点、专利技术、以及领先业界的产能，协助业者提升效能与省电效率，满足全球消费者对于省电、行动电子产品的需求。该公司的股票与可转换公司债都在法国股市挂牌交易。详细信息请参考该公司网站www.soitec.com。
Soitec的Smart Cut 及UNIBOND，是S.O.I. TEC 绝缘层上覆硅技术的注册商标。
Soitec总裁暨执行长André-Jacques Auberton-Hervé表示："最新一批绝缘层上覆硅基板，目标锁定网络处理、运算、游戏及高端无线产业内的进阶应用，而对这些应用来说，速度及极低功率十分重要。除了让芯片制造商可以更进一步扩大其产品的效能与功率优势，我们新的应变绝缘硅晶圆将会是未来之可延伸平台。"
应变绝缘硅技术的领导发明厂商—飞思卡尔半导体（Freescale Semiconductor）奥斯汀分公司硅晶技术解决方案总监Suresh Venkatesan指出，在不影响持续提升晶体管效能的情况下，控制使用中与储备能源用量，是带动产业发展创新、非传统收缩技术的动力。Suresh Venkatesan说："应变绝缘硅技术是Freescale晶体管产品发展计划内创新发明的最好例子。目前这项技术正在进行45奈米结点的评估，初期目标是网络与游戏应用，最终必能协助Freescale的客户制造更微小、功能更强大的娱乐电子产品及智能型可携式装置。"
应变绝缘硅未来发展方向
Soitec指出，新一批应变绝缘硅基板之所以能吸引客户的兴趣，主要来自于市场与技术领导厂商希望能大幅提升电子移动速度，同时降低闸极的漏电与耗电量。此外，应变绝缘硅可协助克服CMOS制程感应的应变技术所带来的收缩问题，并为调整频宽间隙打开了一扇门。目前，Soitec为部分及完全耗尽装置架构，提供应变绝缘硅产品。由于应变绝缘硅与目前绝缘层覆硅和CMOS的制程兼容，并经证实可用于多鳍状通道电晶体（FinFETs）或多闸极通道晶体管（Multigate FETs）、 加上显著的移动能力增加与未来延伸性，应变绝缘硅对65奈米以下的装置来说，扮演十分重要的角色。
为达到客户对发展中应变绝缘硅的要求，Soitec已将其300mm应变绝缘硅平台从开发转换到第一阶段的量产，这与公司进一步扩展产能，以符合市场要求的策略计划一致。Auberton-Hervé总结："就像当初发展绝缘层上覆硅一样，我们将开始进行初期制造以因应早期使用者的需要。接下来，当主流市场开始大量使用这项创新基板技术时，便启动量产步骤。此时，我们会持续专注于提高品质以符合客户不断演变的技术需求。"
Soitec Group是全球工程基板创新与制造的领导者，为现今最先进的电子产品与奈米技术提供发展基础。公司总部位于法国Bernin，生产众多工程基板，其中包括SOI与应变绝缘硅，并运用Soitec专利Smart Cut™技术 –业界奉行的标准。Soitec拥有遍布全球的经营据点、专利技术、以及领先业界的产能，协助业者提升效能与省电效率，满足全球消费者对于省电、行动电子产品的需求。该公司的股票与可转换公司债都在法国股市挂牌交易。详细信息请参考该公司网站www.soitec.com。
Soitec的Smart Cut 及UNIBOND，是S.O.I. TEC 绝缘层上覆硅技术的注册商标。
