业界领先的服务于半导体行业的单晶湿式处理解决方案首要创新者SEZ（瑟思）集团宣布集团己开发出新型化学制程，将极大地改善前段制程（FEOL）中的光阻去除制程 。SEZ的专有技术Enhanced Sulfuric Acid™ (ESA™) 去除制程能够利用一系列以硫酸为主的化学试剂，极大地缩减了目前在光阻去除机或者批式环境中实施的光阻去除制程的步骤：光阻重修、蚀刻植入后和光阻去除以及在等离子光阻去除制程之后的残留物去除等。在数个重要客户的单反应室R&D设备上进行的评估实验证明，这一全湿式化学方法取得了令人振奋的效果，而且预计在本年度后期，实施在SEZ多反应室FEOL的量产生产设备上时，有望取得更大的进步。
光阻去除是一个耗时、耗成本的制程。在FEOL需要将近20个或更多的步骤来完成，其中植入后的光阻去除需要12到15次。由于在整个湿式清洗过程中，等离子光阻去除导致硅片的氧化和后来的氧化物去除，反复地执行这一步骤会导致严重的硅片累积损失，进而极大地降低了晶体管的性能。芯片制造商们需要的是能够应对这些挑战的清洗制程－在缩减整体步骤的同时，尽可能地减少硅片损失，而且能够确保更短的制程时间，以及实实在在的成本节约。 通过与关键客户的紧密合作，SEZ集团充分利用了在单晶圆层面的专家技术，开发出了灵活的全湿式化学方法，消除了对等离子光阻去除的需求，进而避免了因高温而产生的缺陷。与批式设备相比，单晶圆设备实现了一系列的优势：更好的缺陷控制（杂质颗粒在晶圆之间或者在晶圆晶背之间的转移减少）；更好的制程控制（均匀性得以改善，基材损失控制在最小）；以及更优化的耗材利用率（单晶圆设备能够循环使用化学试剂）。
SEZ集团执行副总裁兼首席运营官Kurt Lackenbucher先生表示：“通过我们的技术，毫无疑问地，我们在FEOL光阻去除应用方面的解决方案能够充分满足客户最直接、最紧迫的需求，而且能够创造出在FEOL制程范畴内实施单晶圆方法的重要机遇。ESA去除制程和SEZ即将诞生的FEOL平台的结合将创造出能够迅速量产的、高性能解决方案，在一个灵活的单晶圆设备上实现了光阻去除和残留物清除。这一解决方案象征着SEZ集团沿着我们的技术蓝图又迈出了新的战略性步伐，即专注于可预见的客户需求，推动单晶圆技术在整个制造环节的部署。”
SEZ 推出创新的FEOL光刻胶剥离解决方案
SEZ的ESA去除制程利用了一种增强的硫酸清洗，温度最高可以达到140°C。到目前为止，该制程已经成功用于去除i-line和深紫外线（DUV）的光阻，以及那些包含大范围植入离子的光阻。典型的制程时间非常短，而且在晶圆的正面和背面不会产生很多缺陷。加上该制程可以循环使用化学试剂能以及低耗材损耗等性能，凡此种种，都使得ESA去除制程有可能在拥有成本上实现重要的改进。
SEZ继引领整个行业的BEOL从批式处理向单晶圆处理变迁之后，正在引领FEOL领域进行相似的衍变，在新兴的65-nm和45-nm技术的衍变过程中，扮演着转折点的角色。新的FEOL方法几乎能够实现与单晶圆湿式技术相关联的所有主要优点：更短的周期、更少的缺陷、更经济地使用化学试剂、最小的基材损伤以及正如预期地，整体拥有成本的改善。背面清洗应用领域的FEOL市场占SEZ集团2005年销售总量的近30%，正是立足于这些优势，这一新型的FEOL光阻去除解决方案使得公司看到了非比寻常的增长机会。
光阻去除是一个耗时、耗成本的制程。在FEOL需要将近20个或更多的步骤来完成，其中植入后的光阻去除需要12到15次。由于在整个湿式清洗过程中，等离子光阻去除导致硅片的氧化和后来的氧化物去除，反复地执行这一步骤会导致严重的硅片累积损失，进而极大地降低了晶体管的性能。芯片制造商们需要的是能够应对这些挑战的清洗制程－在缩减整体步骤的同时，尽可能地减少硅片损失，而且能够确保更短的制程时间，以及实实在在的成本节约。 通过与关键客户的紧密合作，SEZ集团充分利用了在单晶圆层面的专家技术，开发出了灵活的全湿式化学方法，消除了对等离子光阻去除的需求，进而避免了因高温而产生的缺陷。与批式设备相比，单晶圆设备实现了一系列的优势：更好的缺陷控制（杂质颗粒在晶圆之间或者在晶圆晶背之间的转移减少）；更好的制程控制（均匀性得以改善，基材损失控制在最小）；以及更优化的耗材利用率（单晶圆设备能够循环使用化学试剂）。
SEZ集团执行副总裁兼首席运营官Kurt Lackenbucher先生表示：“通过我们的技术，毫无疑问地，我们在FEOL光阻去除应用方面的解决方案能够充分满足客户最直接、最紧迫的需求，而且能够创造出在FEOL制程范畴内实施单晶圆方法的重要机遇。ESA去除制程和SEZ即将诞生的FEOL平台的结合将创造出能够迅速量产的、高性能解决方案，在一个灵活的单晶圆设备上实现了光阻去除和残留物清除。这一解决方案象征着SEZ集团沿着我们的技术蓝图又迈出了新的战略性步伐，即专注于可预见的客户需求，推动单晶圆技术在整个制造环节的部署。”
SEZ 推出创新的FEOL光刻胶剥离解决方案
SEZ的ESA去除制程利用了一种增强的硫酸清洗，温度最高可以达到140°C。到目前为止，该制程已经成功用于去除i-line和深紫外线（DUV）的光阻，以及那些包含大范围植入离子的光阻。典型的制程时间非常短，而且在晶圆的正面和背面不会产生很多缺陷。加上该制程可以循环使用化学试剂能以及低耗材损耗等性能，凡此种种，都使得ESA去除制程有可能在拥有成本上实现重要的改进。
SEZ继引领整个行业的BEOL从批式处理向单晶圆处理变迁之后，正在引领FEOL领域进行相似的衍变，在新兴的65-nm和45-nm技术的衍变过程中，扮演着转折点的角色。新的FEOL方法几乎能够实现与单晶圆湿式技术相关联的所有主要优点：更短的周期、更少的缺陷、更经济地使用化学试剂、最小的基材损伤以及正如预期地，整体拥有成本的改善。背面清洗应用领域的FEOL市场占SEZ集团2005年销售总量的近30%，正是立足于这些优势，这一新型的FEOL光阻去除解决方案使得公司看到了非比寻常的增长机会。
