在处理时间更短和器件尺寸更小的需求推动下，DEK公司开发出新一代的设备和工具套装，能够实现晶圆背面小至25μm的裸晶粘着材料超薄涂层。
传统的点胶方法和裸晶粘着工艺一直面对着生产方面的难题，如无法达到新的UPH (每小时单元) 速度要求；或由于芯片贴合周边带状成形 (fillet formation)、树脂渗出所导致的芯片尺寸的限制，以及胶层覆盖不足或不均匀引发的固有品质和可靠性问题。DEK的印刷系统能有效地解决这些问题，让制造商采用高速度和高精度的印刷工艺来涂敷裸晶粘着材料，生成25μm (±7μm) 的均匀超薄涂层。
DEK的晶圆背面涂层工艺利用微米级Galaxy批量挤压印刷系统、DEK设计制造的超平托盘、裸晶粘着胶剂印刷用钢网或丝网以及专用刮刀，在灵活可调的高精度丝网印刷平台上实现了高速印刷裸晶粘着胶剂并形成超薄的精密胶层。这个方法能够按照用户提出的规格要求控制胶层厚度。芯片贴合周边带状成形的控制与传统的贴膜产品是一致的，但省去了20~30% 的附加成本，其 UPH处理速度与点胶方法相比更呈指数级提升，而且可以预先制造有涂层的晶圆并储存备用。能实现25μm超薄涂层的成功关键在于超平托盘和晶圆背面涂层工艺专用刮刀。超平托盘为处理最小厚度100μm和最大直径300 mm的晶圆提供了所需的稳定性和均匀性，而专用刮刀可以精细地将胶剂涂敷在晶圆背面。
DEK工艺的其它重点优势包括：消除了周边带状成形和随之引起的涂胶体积减少 (小于0.5 x 0.5 mm的芯片可能减小十分之一) ；还改善了库存管理，因为可将湿态胶应用集中在工厂的专用印刷区域；同时简化了供应链，因为只需一种胶膏配方就能适应不同的工艺需要，相对于薄膜贴合则需要多种不同的厚度和宽度。DEK工艺不仅促进了裸晶粘着材料涂敷应用的发展，而且可以用于所有晶圆级涂层工艺，包括环氧胶层和晶圆级背面防护涂层。
由于该工艺在灵活可调的批量挤压印刷平台上运行，因此印刷系统可以轻易地重新部署以适应其它封装用途，如晶圆凸块工艺、植球(DirEKt Ball Placement™)、导热介面材料(TIM)处理和灌封塑模等。
要了解有关DEK晶圆背面涂层工艺及其它先进封装解决方案的更多信息，请访问公司网站 www.dek.com。
传统的点胶方法和裸晶粘着工艺一直面对着生产方面的难题，如无法达到新的UPH (每小时单元) 速度要求；或由于芯片贴合周边带状成形 (fillet formation)、树脂渗出所导致的芯片尺寸的限制，以及胶层覆盖不足或不均匀引发的固有品质和可靠性问题。DEK的印刷系统能有效地解决这些问题，让制造商采用高速度和高精度的印刷工艺来涂敷裸晶粘着材料，生成25μm (±7μm) 的均匀超薄涂层。
DEK的晶圆背面涂层工艺利用微米级Galaxy批量挤压印刷系统、DEK设计制造的超平托盘、裸晶粘着胶剂印刷用钢网或丝网以及专用刮刀，在灵活可调的高精度丝网印刷平台上实现了高速印刷裸晶粘着胶剂并形成超薄的精密胶层。这个方法能够按照用户提出的规格要求控制胶层厚度。芯片贴合周边带状成形的控制与传统的贴膜产品是一致的，但省去了20~30% 的附加成本，其 UPH处理速度与点胶方法相比更呈指数级提升，而且可以预先制造有涂层的晶圆并储存备用。能实现25μm超薄涂层的成功关键在于超平托盘和晶圆背面涂层工艺专用刮刀。超平托盘为处理最小厚度100μm和最大直径300 mm的晶圆提供了所需的稳定性和均匀性，而专用刮刀可以精细地将胶剂涂敷在晶圆背面。
DEK工艺的其它重点优势包括：消除了周边带状成形和随之引起的涂胶体积减少 (小于0.5 x 0.5 mm的芯片可能减小十分之一) ；还改善了库存管理，因为可将湿态胶应用集中在工厂的专用印刷区域；同时简化了供应链，因为只需一种胶膏配方就能适应不同的工艺需要，相对于薄膜贴合则需要多种不同的厚度和宽度。DEK工艺不仅促进了裸晶粘着材料涂敷应用的发展，而且可以用于所有晶圆级涂层工艺，包括环氧胶层和晶圆级背面防护涂层。
由于该工艺在灵活可调的批量挤压印刷平台上运行，因此印刷系统可以轻易地重新部署以适应其它封装用途，如晶圆凸块工艺、植球(DirEKt Ball Placement™)、导热介面材料(TIM)处理和灌封塑模等。
要了解有关DEK晶圆背面涂层工艺及其它先进封装解决方案的更多信息，请访问公司网站 www.dek.com。
