领先的气体团簇离子束(GCIB)技术开发商 Epion Corporation宣布该公司已经与一家重要的日本半导体器件制造商共同启动了一个正式联合开发计划。这家日本公司是全球移动通讯、汽车和PC/AV市场领先的半导体系统解决方案提供商，同时是全球首屈一指的微控制器供货商。这个开发计划将利用 Epion 的 GCIB 技术来开发制造45nm及更小器件的CMOS逻辑结构所用的高级工艺。
该客户的日本工厂中已经安装了Epion 的 nFusion™ 掺杂系统，这使得器件制造商能够评估 nFusion 系统的技术和生产效能，同时向 Epion 提供有价值的回馈。
谈到这一合作关系时，Epion 主席兼首席执行官 Allen Kirkpatrick 说："这个联合开发计划将清楚地证明，Epion 的新 GCIB nFusion 技术不仅能够满足当今半导体器件制造的需要，而且能够应对半导体行业不断要求缩小未来器件尺寸的巨大挑战。对于超浅接合，我们的注入系统以高吞吐量提供低于10nm的掺杂分布图，而且无需非晶化前注入。此外，我们正利用浅锗掺杂功能来开发一种低成本的改进信道弹性的方法"。
关于GCIB技术和nFusion系统
GCIB 是一种室温加工技术，其独特功能是能够改变晶圆表面上原子的顶端几层。这样就能完成纳米级的表面化学以解决尖端的晶圆掺杂和沉积问题。nFusion™ 系统的应用包括使用含硼团簇来制造超浅接合(USJ)，使用硼锗 (B-Ge) 团簇来增强浅接合，或淀积高品质的硅锗或锗层。nFusion™ 系统能够形成半导体行业的32nm和22nm技术节点需要的"盒状"掺杂分布图，坡度只有 1nm/decade 而且没有能量污染。这是以高吞吐量完成的，完全不同于传统离子注入的效能。
nFusion™ 系统的技术规格包括200mm和300mm晶圆兼容性；>95% 可用性（源技术已经过 400 小时的测试）；注入速率高达每分钟 1x1016 个原子/cm2；均匀度误差 <1% 以及每平方厘米的总金属污染 <5x1010。系统成本低于传统的高电流离子注入器，占地面积大约是后者的一半。
该客户的日本工厂中已经安装了Epion 的 nFusion™ 掺杂系统，这使得器件制造商能够评估 nFusion 系统的技术和生产效能，同时向 Epion 提供有价值的回馈。
谈到这一合作关系时，Epion 主席兼首席执行官 Allen Kirkpatrick 说："这个联合开发计划将清楚地证明，Epion 的新 GCIB nFusion 技术不仅能够满足当今半导体器件制造的需要，而且能够应对半导体行业不断要求缩小未来器件尺寸的巨大挑战。对于超浅接合，我们的注入系统以高吞吐量提供低于10nm的掺杂分布图，而且无需非晶化前注入。此外，我们正利用浅锗掺杂功能来开发一种低成本的改进信道弹性的方法"。
关于GCIB技术和nFusion系统
GCIB 是一种室温加工技术，其独特功能是能够改变晶圆表面上原子的顶端几层。这样就能完成纳米级的表面化学以解决尖端的晶圆掺杂和沉积问题。nFusion™ 系统的应用包括使用含硼团簇来制造超浅接合(USJ)，使用硼锗 (B-Ge) 团簇来增强浅接合，或淀积高品质的硅锗或锗层。nFusion™ 系统能够形成半导体行业的32nm和22nm技术节点需要的"盒状"掺杂分布图，坡度只有 1nm/decade 而且没有能量污染。这是以高吞吐量完成的，完全不同于传统离子注入的效能。
nFusion™ 系统的技术规格包括200mm和300mm晶圆兼容性；>95% 可用性（源技术已经过 400 小时的测试）；注入速率高达每分钟 1x1016 个原子/cm2；均匀度误差 <1% 以及每平方厘米的总金属污染 <5x1010。系统成本低于传统的高电流离子注入器，占地面积大约是后者的一半。
