领先的气体团簇离子束(GCIB)开发商 Epion Corporation宣布，该公司 nFusion™ 掺杂系统产生的离子束流在效能方面有显著提高。最近在法国马赛举行的离子注入技术会议上，Epion 提交的一份论文指出其离子束的品质传输能力有了极大提高，这可以增加晶圆的吞吐量，并使得掺杂处于表面很浅的位置。这种能力的应用包括 DRAM 制造中用于超浅接合和双栅多晶硅应用的硼掺杂和用于信道工程的锗掺杂。
使用 nFusion 系统，Epion 能够以等效 180mA 的束电流产生能量极低的离子束。与传统离子注入相比它取得了10倍以上的改进，非常适合低能量注入。透过这种改进可以高吞吐量实现非常高的掺杂剂量，同时仍距表面很浅，从而在保持高品质的情况下增加生产效率。对退火后的掺杂成品率的分析表明，所有掺杂剂都留在硅中，没有任何掺杂剂由于晶圆清洗或外扩散而失去。这种技术仅以几瓦的束能产生了非常高的等效束电流，这一点对于避免光致抗蚀剂过热非常重要。
Epion 主席兼首席执行官 Allen Kirkpatrick 说："目前，我们是业内唯一能够提供180mA等效气体团簇离子束的公司。这一重大的效能改进与我们能够确保的始终如一的品质相结合，使得我们能够在未来6－8个月推出新应用。我们的改进对于像台湾这样的重要亚洲市场的客户尤其具有吸引力"。
关于CGIB 技术和nFusion系统
CGIB 是一种室温加工技术，其独特功能是能够剧烈改变晶圆表面上原子的顶端几层。这样就能完成纳米级的表面化学以解决尖端的晶圆掺杂和淀积问题。nFusion GCIB300 系统的应用包括使用含硼团簇来制造超浅接合(USJ)，使用硼锗(B-Ge)团簇来增强浅接合，或淀积高品质的硅锗或锗层。nFusion 掺杂系统能够形成半导体行业的32nm和22nm技术节点需要的"盒状"掺杂分布图，表现出陡峭剖面而且没有能量污染。这是以高吞吐量完成的，完全不同于传统离子注入的效能。
nFusion 掺杂系统的技术规格包括 200mm和300mm 晶圆兼容性，>95% 可用性（源技术已经过 400 多小时的测试），均匀度误差 <1% 以及每平方厘米的总金属污染 <5x1010。系统成本低于传统的高电流离子注入器，占地面积大约是后者的一半。
使用 nFusion 系统，Epion 能够以等效 180mA 的束电流产生能量极低的离子束。与传统离子注入相比它取得了10倍以上的改进，非常适合低能量注入。透过这种改进可以高吞吐量实现非常高的掺杂剂量，同时仍距表面很浅，从而在保持高品质的情况下增加生产效率。对退火后的掺杂成品率的分析表明，所有掺杂剂都留在硅中，没有任何掺杂剂由于晶圆清洗或外扩散而失去。这种技术仅以几瓦的束能产生了非常高的等效束电流，这一点对于避免光致抗蚀剂过热非常重要。
Epion 主席兼首席执行官 Allen Kirkpatrick 说："目前，我们是业内唯一能够提供180mA等效气体团簇离子束的公司。这一重大的效能改进与我们能够确保的始终如一的品质相结合，使得我们能够在未来6－8个月推出新应用。我们的改进对于像台湾这样的重要亚洲市场的客户尤其具有吸引力"。
关于CGIB 技术和nFusion系统
CGIB 是一种室温加工技术，其独特功能是能够剧烈改变晶圆表面上原子的顶端几层。这样就能完成纳米级的表面化学以解决尖端的晶圆掺杂和淀积问题。nFusion GCIB300 系统的应用包括使用含硼团簇来制造超浅接合(USJ)，使用硼锗(B-Ge)团簇来增强浅接合，或淀积高品质的硅锗或锗层。nFusion 掺杂系统能够形成半导体行业的32nm和22nm技术节点需要的"盒状"掺杂分布图，表现出陡峭剖面而且没有能量污染。这是以高吞吐量完成的，完全不同于传统离子注入的效能。
nFusion 掺杂系统的技术规格包括 200mm和300mm 晶圆兼容性，>95% 可用性（源技术已经过 400 多小时的测试），均匀度误差 <1% 以及每平方厘米的总金属污染 <5x1010。系统成本低于传统的高电流离子注入器，占地面积大约是后者的一半。
