诺发系统有限公司（Novellus Systems, Inc., Nasdaq股票代码：NVLS）日前宣布推出采用 HCM IONX™技术的INOVA NexT系统，这是诺发公司300 mm INOVA®金属化系统的最新增强版本。HCM(中空阴极磁电管) IONX是新一代离子化物理气相沉积（PVD）源技术，支持薄膜阻障层与铜种晶层的沉积，可扩展至32nm节点。作为PVD阻挡层再溅 射(barrier re-sputter)技术的先驱，诺发公司充分利用其丰富的经验，推出了已经生产验证的铜种晶层再溅射系统，这对所有的高级铜互连技术而言都是一项关键的需求。HCM IONX为钽阻挡层和铜晶种层工艺提供了更出色的金属膜镀层、台阶覆盖和薄膜质量。这种独特的源技术也适用于其它薄膜的金属化应用，包括钛和铝。
由于临界尺寸(CD)的要求日益苛刻，同时还需要更薄的铜阻挡层和晶种层，各大逻辑和存储器的领导厂商在这方面都面临挑战。采用铜制程的存储器件尤其如此，因为最难的临界尺寸比逻辑器件早了一代的时间。HCM IONX再溅射技术是减少沉积中的膜层厚度所必需的，提供了市场上最具扩展性的种晶层。
HCM IONX技术能产生高密度的等离子体，可通过提高台阶覆盖与薄膜质量增强铜互连性能。由于诺发公司在源技术方面的创新，等离子体的密度增加了四倍，并有效控制了到达晶圆的电离通量。诺发公司在实现上述技术进步的同时，以最低的拥有成本实现了世界级的生产率与缺陷控制。采用HCM IONX技术的INOVA NExT系统，目前正在接受多家存储器与逻辑器件制造商的认证，另外一些客户已经采用了该产品。
“客户对HCM IONX的反馈是非常积极的，这清楚地表明了该技术正在为铜晶种层的扩展性制定基准。”诺发公司高级副总裁兼金属互连事业部总经理David Smith先生表示，“我们的铜晶种层再溅射技术能够很好地让拥有领先技术的制造商满足产品临界尺寸的需求，特别是当存储器件互连向铜过渡的情况下。HCM IONX是诺发公司不断创新扩展技术、实现最低拥有成本的又一范例。”
诺发系统网站:www.novellus.com
由于临界尺寸(CD)的要求日益苛刻，同时还需要更薄的铜阻挡层和晶种层，各大逻辑和存储器的领导厂商在这方面都面临挑战。采用铜制程的存储器件尤其如此，因为最难的临界尺寸比逻辑器件早了一代的时间。HCM IONX再溅射技术是减少沉积中的膜层厚度所必需的，提供了市场上最具扩展性的种晶层。
HCM IONX技术能产生高密度的等离子体，可通过提高台阶覆盖与薄膜质量增强铜互连性能。由于诺发公司在源技术方面的创新，等离子体的密度增加了四倍，并有效控制了到达晶圆的电离通量。诺发公司在实现上述技术进步的同时，以最低的拥有成本实现了世界级的生产率与缺陷控制。采用HCM IONX技术的INOVA NExT系统，目前正在接受多家存储器与逻辑器件制造商的认证，另外一些客户已经采用了该产品。
“客户对HCM IONX的反馈是非常积极的，这清楚地表明了该技术正在为铜晶种层的扩展性制定基准。”诺发公司高级副总裁兼金属互连事业部总经理David Smith先生表示，“我们的铜晶种层再溅射技术能够很好地让拥有领先技术的制造商满足产品临界尺寸的需求，特别是当存储器件互连向铜过渡的情况下。HCM IONX是诺发公司不断创新扩展技术、实现最低拥有成本的又一范例。”
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