ASM International N.V.和 Sigma-Aldrich®子公司SAFC®旗下的SAFC Hitech™近日宣布针对进阶超介电常数绝缘层(advanced Ultra High-k insulators)之特定原子层沉积(ALD)原料签订认证制造厂商与合作协议。 该协议提供化学原料之认证标准、特定ASM ALD 专利之授权许可，以及针对这些化学原料的营销与进阶开发合作关系。
最新开发的“环戊二烯”(cyclopentadienyl) 材料能够让次世代以锶(Strontium)和钡( Barium )为基础的超高介电常数绝缘层具备超过100的介电常数。相较之下，目前量产的以锆( Zirconium) 和 铪(Hafnium )为基础的高介电常数绝缘层，其介电常数则低于30至40。具较高介电常数的绝缘层能够让装置制造厂商为DRAM内存芯片生产更小的电容，和替微处理器生产更小的晶体管。
“我们看到在芯片制程当中生产与整合新材料的作法进一步推动了摩尔定律。”ASM的科技长暨研发部门总监 Ivo Raaijmakers博士表示，“像这样的合作协议将让我们能够更有效率地开发新材料，并且在供应链上做好准备，以实时在制程当中导入超高介电常数材料。”
“SAFC Hitech和 ASM的研究团队已经密切合作了相当长的时间，并共同致力于此等级环戊二烯材料的评估与流程开发。” SAFC Hitech研发部门总监Peter Heys博士补充道，“这样的合作产出了高质量ALD的原料。我们现在正努力扩大锶与钡超高介电常数来源前驱物的大量制造生产。现在的目标是要让产品数量得以因应2011年与未来的预估需求、符合ITRS产品蓝图的需求，以及ASM 和SAFC Hitech 的规划”。
最新开发的“环戊二烯”(cyclopentadienyl) 材料能够让次世代以锶(Strontium)和钡( Barium )为基础的超高介电常数绝缘层具备超过100的介电常数。相较之下，目前量产的以锆( Zirconium) 和 铪(Hafnium )为基础的高介电常数绝缘层，其介电常数则低于30至40。具较高介电常数的绝缘层能够让装置制造厂商为DRAM内存芯片生产更小的电容，和替微处理器生产更小的晶体管。
“我们看到在芯片制程当中生产与整合新材料的作法进一步推动了摩尔定律。”ASM的科技长暨研发部门总监 Ivo Raaijmakers博士表示，“像这样的合作协议将让我们能够更有效率地开发新材料，并且在供应链上做好准备，以实时在制程当中导入超高介电常数材料。”
“SAFC Hitech和 ASM的研究团队已经密切合作了相当长的时间，并共同致力于此等级环戊二烯材料的评估与流程开发。” SAFC Hitech研发部门总监Peter Heys博士补充道，“这样的合作产出了高质量ALD的原料。我们现在正努力扩大锶与钡超高介电常数来源前驱物的大量制造生产。现在的目标是要让产品数量得以因应2011年与未来的预估需求、符合ITRS产品蓝图的需求，以及ASM 和SAFC Hitech 的规划”。
