日前，设计与制造高性能半导体元件的全球领导厂商 RF Micro Devices, Inc.（纳斯达克股市代号：RFMD）宣布，公司已成立一个氮化镓 (GaN) 晶圆代工服务业务部门，针对多个射频功率市场提供高可靠性、高性能、具有价格优势的 GaN 半导体技术。RFMD GaN 代工服务业务部门利用公司在砷化镓 (GaAs) 制造能力和周期时间方面的行业领先地位，以及一系列新的客户服务，推动缩短产品上市时间，并尽量减少初始晶圆订购到最后交货之间的时间。RFMD 是GaA 化合物半导体行业领先制造商。RFMD 的 GaN 制造与其 GaAs 制造是可互换的，并直接受益于 RFMD 业内领先的晶圆制造能力的规模和专业技术。
RFMD 多市场产品组总裁 Bob Van Buskirk 指出，“RFMD 的代工服务业务部门使GaN 代工客户有机会利用 RFMD 业内领先的化合物半导体技术及生产设备，及RFMD 规模制造的许多益处，包括可靠性、统一性、周期时间和质量。RFMD GaN 是一项能改变射频功率元件行业的突破性技术，因为它具有出色的线性、带宽和射频功率密度。此外，RFMDGaN 是一项‘绿色’技术，可达到比以前更高的效率，因此只需较低功耗即可实现类似性能，或以类似的功耗水平实现更佳性能。”
RFMD 提供的 GaN 代工服务是业内独有的，因为 RFMD 经营着业内最大的 GaAs 制造晶圆厂 (fab)，已为客户提供了数十亿高可靠性、高品质的基于化合物半导体的射频元件。通过利用现有的高产量生产资产，RFMD 能为代工客户提供具有可预测性、业内领先的可靠性及更高统一性的 GaN 技术。RFMD 提供业内领先的周期时间，估计其 GaN 通过晶圆制造工厂的周期时间通常比其竞争对手快 30-40%。
此外，通过利用 RFMD 对半导体工艺模型的深入了解准确预测产品性能，RFMD 的代工服务业务部门能通过减少满足客户规格所需的试验模型数，降低客户开发成本，有望受益于 RFMD GaN 的客户应用包括商业和国防功率应用方面，其涵盖无线基础设施、有线电视线路放大器、宽带通信、功率放大器和各种防御雷达系统。
另外，RFMD 的代工服务客户可获得成熟的代工服务支持团队的服务，他们具备关于代工客户期望和要求的第一手知识。RFMD 的代工服务支持团队结合了作为代工服务客户及工服务供应商的 50 年代工服务经验。此外，RFMD 的代工服务支持团队已经实施了一整套服务，可最大限度地减少从订单输入到客户交付的总时间。这些服务包括能实现高概率初步成功的模拟模型，及能实现较少或无排队时间的业务流程。
RFMD GaN 是一种新一代化合物半导体技术，具有比其他竞争技术更高的功率密度和击穿电压，非常适合高性能功率器件。RFMD GaN 的典型工作规格参数包括工作电压为 48（或 65）伏，功率密度为 6 至 8 瓦/毫米，FT 为 11 GHz，F 最大值为 18 GHz，在150°C T 通道工作时的平均无故障时间大于 108 小时。
关于 RFMD
RF Micro Devices（NASDAQ GS 代码：RFMD）堪称在高性能半导体元件的设计与制造方面的全球领先厂商之一。 RFMD 的产品可实现全球移动性，提供更高的连接能力，以及支持蜂窝手机、无线基础设备、无线局域网 (WLAN)、有线电视网络、航空及国防市场中的高级功能。 RFMD 因其多样化的半导体技术以及RF 系统专业技能而得到业界的认可，并且是受全球领先移动终端及通讯设备制造商所青睐的供应商。
RFMD 总部位于北卡罗来纳、格林斯博罗，是一家在全球拥有工程、设计、销售及服务机构的、且具 ISO 9001 及 ISO 14001 认证的制造商。RFMD 在纳斯达克全球精选市场上市交易，交易代码为 RFMD。有关更多信息，请访问 RFMD 网站：www.rfmd.com。
RFMD 多市场产品组总裁 Bob Van Buskirk 指出，“RFMD 的代工服务业务部门使GaN 代工客户有机会利用 RFMD 业内领先的化合物半导体技术及生产设备，及RFMD 规模制造的许多益处，包括可靠性、统一性、周期时间和质量。RFMD GaN 是一项能改变射频功率元件行业的突破性技术，因为它具有出色的线性、带宽和射频功率密度。此外，RFMDGaN 是一项‘绿色’技术，可达到比以前更高的效率，因此只需较低功耗即可实现类似性能，或以类似的功耗水平实现更佳性能。”
RFMD 提供的 GaN 代工服务是业内独有的，因为 RFMD 经营着业内最大的 GaAs 制造晶圆厂 (fab)，已为客户提供了数十亿高可靠性、高品质的基于化合物半导体的射频元件。通过利用现有的高产量生产资产，RFMD 能为代工客户提供具有可预测性、业内领先的可靠性及更高统一性的 GaN 技术。RFMD 提供业内领先的周期时间，估计其 GaN 通过晶圆制造工厂的周期时间通常比其竞争对手快 30-40%。
此外，通过利用 RFMD 对半导体工艺模型的深入了解准确预测产品性能，RFMD 的代工服务业务部门能通过减少满足客户规格所需的试验模型数，降低客户开发成本，有望受益于 RFMD GaN 的客户应用包括商业和国防功率应用方面，其涵盖无线基础设施、有线电视线路放大器、宽带通信、功率放大器和各种防御雷达系统。
另外，RFMD 的代工服务客户可获得成熟的代工服务支持团队的服务，他们具备关于代工客户期望和要求的第一手知识。RFMD 的代工服务支持团队结合了作为代工服务客户及工服务供应商的 50 年代工服务经验。此外，RFMD 的代工服务支持团队已经实施了一整套服务，可最大限度地减少从订单输入到客户交付的总时间。这些服务包括能实现高概率初步成功的模拟模型，及能实现较少或无排队时间的业务流程。
RFMD GaN 是一种新一代化合物半导体技术，具有比其他竞争技术更高的功率密度和击穿电压，非常适合高性能功率器件。RFMD GaN 的典型工作规格参数包括工作电压为 48（或 65）伏，功率密度为 6 至 8 瓦/毫米，FT 为 11 GHz，F 最大值为 18 GHz，在150°C T 通道工作时的平均无故障时间大于 108 小时。
关于 RFMD
RF Micro Devices（NASDAQ GS 代码：RFMD）堪称在高性能半导体元件的设计与制造方面的全球领先厂商之一。 RFMD 的产品可实现全球移动性，提供更高的连接能力，以及支持蜂窝手机、无线基础设备、无线局域网 (WLAN)、有线电视网络、航空及国防市场中的高级功能。 RFMD 因其多样化的半导体技术以及RF 系统专业技能而得到业界的认可，并且是受全球领先移动终端及通讯设备制造商所青睐的供应商。
RFMD 总部位于北卡罗来纳、格林斯博罗，是一家在全球拥有工程、设计、销售及服务机构的、且具 ISO 9001 及 ISO 14001 认证的制造商。RFMD 在纳斯达克全球精选市场上市交易，交易代码为 RFMD。有关更多信息，请访问 RFMD 网站：www.rfmd.com。
