日前，Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代号：VSH）宣布，扩充其采用超小PowerPAK® SC-70封装的TrenchFET® Gen III P沟道功率MOSFET。今天推出的Vishay Siliconix MOSFET是为在便携式电子产品中节省空间及提高效率而设计的，占位面积只有2mm x 2mm，在-4.5V和-10V栅极驱动下的导通电阻是-12V、-20V和-30V(12V VGS和20V VGS)器件中最低的。
对于电源管理中的负载和电池开关，以及智能手机、平板电脑、移动计算设备、硬盘驱动器和固态驱动的同步降压转换应用里的控制开关，-12 V SiA467EDJ提供了13mΩ(-4.5V)的极低导通电阻。-20V SiA437DJ的导通电阻为14.5mΩ(-4.5V)，-30V SiA449DJ和SiA483DJ的导通电阻分别只有20mΩ(-10V)和21mΩ(-10V)。另外，SiA437DJ和SiA467EDJ的电流等级高达30A，承受很大的涌入电流，可用于负载开关。
器件的低导通电阻使设计者能在其电路中实现更低的压降，更有效地使用电能，并延长电池寿命，同时这些器件的超小PowerPAK SC-70封装可以节省宝贵的电路板空间。对于小型负载点(POL)DC/DC和其他同步降压应用，MOSFET的P沟道技术不需要使用电平转换电路或“自举”器件，简化了栅极驱动的设计。
SiA467EDJ、SiA437DJ、SiA449DJ和SiA483DJ进行了100%的Rg测试。这些MOSFET符合JEDEC JS709A的无卤素规定，符合RoHS指令2011/65/EU。
器件规格表：
编号 VDS (V) VGS (V) RDS(ON) (mΩ) @
−10 V −4.5 V −2.5 V −1.8 V −1.5 V
SiA467EDJ -12 8 - 13 19.5 40 -
SiA437DJ -20 8 - 14.5 20.5 33.0 65.0
SiA449DJ -30 12 20 24 38 - -
SiA483DJ -30 20 21 30 - - -
SiA467EDJ、SiA437DJ、SiA449DJ和SiA483DJ现可提供样品，并已实现量产，大宗订货的供货周期为十二周到十四周。
VISHAY简介
Vishay Intertechnology, Inc. 是在纽约证券交易所上市（VSH）的“财富1000 强企业”，是全球分立半导体（二极管、MOSFET和红外光电器件）和无源电子元件（电阻器、电感器、电容器）的最大制造商之一。这些元器件可用于工业、计算、汽车、消费、电信、军事、航空航天、电源及医疗市场中几乎所有类型的电子设备和装备。凭借产品创新、成功的收购战略，以及“一站式”服务使Vishay成为了全球业界领先者。有关Vishay的详细信息，敬请浏览网站 www.vishay.com。
