FSI国际在上海宣布推出全新PlatNiStrip镍铂薄膜的工艺

【美国明尼阿波利斯，2005年3月14日,中国上海】 FSI国际有限公司（纳斯达克：FSII）今日在此间宣布推出一项新的研发成果，这项新的镍铂去除工艺旨在帮助集成电路制造商在65nm技术节点实现自我对准金属硅化物(Salicide)的形成。FSI使用其ZETA喷雾式清洗系统开发出了这项PlatNiStrip工艺，并且与领先的集成电路制造商合作，在65nm试验线设备上对该工艺进行了验证。这项低成本的工艺可以在标准的ZETA系统上采用行业标准的化学品实现。此次在上海举办的SEMICON China 2005上进行的发布，表明了FSI愿意与中国领先集成电路制造商合作，把全球最先进的工艺技术介绍到中国。
IC集成电路制造商过去都采用镍硅化合物在65nm节点来实现自我对准金属硅化物的形成，但是在整个的工艺制程中，镍硅化合物可能不具备足够稳定的耐热性来满足各种温度。研究人员发现，加入少量的铂（约5%）可以大幅增加合成金属硅化物薄膜的热稳定性。但传统的镍去除方法如硫磺酸-过氧化氢解决方案，不能有效地去除铂，结果导致在晶圆表面存在铂的残留物。
FSI的新PlatNiStrip工艺，通过混合酸方案的使用可以同时去除镍和铂且无残留，对于金属硅化物、氧化物以及氮化物有较高选择性，可以实现镍铂金属硅化物薄膜的集成。
ZETA系统最适于这项应用，因为其特有的化学品混合及传送技术可确保刻蚀速度一致性和可选择性，因此具有稳定可靠的工艺性能。有关ZETA系统的进一步介绍，请访问FSI中文网站：http://china.fsi-intl.com。