Novellus在低K值介电质研究领域取得重大突破
本文作者:admin
点击:
2003-07-01 00:00
前言:
近日,Novellus Systems公司宣布已在低K值介电质领域取得重大突破,开发出一种新型“化学汽相”方法,使芯片的K值低于1.7。 Novellus公司集成和先进开发部首席技术官兼执行副总裁Wilbert van den Hoek表示, Novellus的新低K技术并不基于其现有的化学汽相沉积工具,而是基于一种“新型非PECVD”方法,采用了“结构化的气孔”。 van den Hoek称,此项技术突破在低K领域意义重大。它表明CVD类的方法能够发明出K值低至2或更低的芯片。
一些低K提供商,尤其是spin-on玻璃厂商,声称竞争产品CVD薄膜无法突破这一不可思议的障碍。spin-on厂商称已越过此障碍,但仍然在材料的机械特性方面存在重大问题。
Novellus现有的低K材料名为Corel,已被特许半导体、富士通、三星和联华电子所认可。有报道说,IBM公司的微电子部也在评估并开发基于Novellus材料的芯片。
Novellus在低K领域的竞争对手主要为:Applied、ASM International、Dow、JSR和Trikon等公司。