飞利浦扩展LFPAK封装的功率MOSFET系列

本文作者:admin       点击: 2003-08-01 00:00
前言:
飞利浦电子集团日前推出创新性的SOT669无损封装(LFPAK),扩展其功率MOSFET产品系列。新LFPAK装置针对DC/DC转换器应用而设计,具有体积更小、效率更高、性能更强等特点,可用于如笔记型计算机、桌上型计算机、服务器、高频应用等众多的产品。

  飞利浦的LFPAK封装MOSFET主要特点有接近零的封装电阻和主板连接低热阻,以增强功率功能。MOSFET还具有低封装感应系数,提高开关速度,使飞利浦LFPAK封装的MOSFET产品特别适用于企业运算等高频应用。
小体积与卓越的热功能使功率损失降到最低,以帮助要求减小产品体积的制造商能够开发体积更小、效率更高的设计,同时减少组件的数量。
亚洲的工程师正持续努力提高高功率密度应用中的功率性能,如笔记型计算机和DC/DC转换器,使对功率密度要求很高的应用能以更小的体积生产。亚洲是这些应用产品的主要生产地之一,飞利浦的LFPAK封装MOSFET满足了这些要求,不但性能比SO8封装好,同时维持相同的接脚。SOT669 LFPAK不同于专门为开关设计的SO8封装,是专门针对功率封装而设计的。
透过结合更大功率封装与突出的热性能,加上厚度降低了40%到仅1.1mm,新推出的LFPAK封装MOSFET具有封装尺寸小和最佳功率的性能。在某些情况下,设计师们能够减少应用所需的功率封装数,从三个SO8封装减少到两个LFPAK。 
对传统的功率封装而言,最主要的热路径一般是从封装底部下行,进入印刷电路板。LFPAK还从封装的顶部分散热量,相对SO8来说,提供更佳的散热性能及热阻。LFPAK MOSFET的电感值比SO8的要低50%,因而加快了开关速度。LFPAK封装MOSFET还使电源的功率转换到应用更加有效,从而延长电池或电源的寿命。
除了提供更佳的电源性能外,飞利浦的LFPAK封装MOSFET的热性能使散热特别容易,而保持运转所需最低的温度,这对于如笔记型计算机等应用来说是非常重要的性能,因为在这些应用中,运转温度是影响整体性能非常关键的一项因素。