Spansion 开始对基于第二代MirrorBit(tm) 技术的闪存产品提供样品

Spansion公司宣布，它已经开始为首批客户提供数百片基于第二代110纳米MirrorBit(tm) 技术的工程样品。这些单立的和多层堆叠（MCP）的样品使AMD (NYSE: AMD) 和富士通公司(TSE:6702) 的客户可以将这项技术集成到设计中。这些产品预计将于今年第三季度正式投产。

针对1.8伏无线设计的需求进行了优化的第二代MirrorBit技术具有业界最佳的性价比， 可以支持NOR闪存技术中最广泛的功能应用和最高的密度。这种技术可以为功能丰富的产品提供同时读写功能、一个高存储速度的脉冲模式接口、先进的扇区保护功能和极低的功耗。
为了在性价比方面保持领先，MirrorBit技术进行了一些重要的改进。与MLC浮门技术相比，它可以提供更高的产出率、质量和工厂生产速度：
* 对于高密度的128到512Mb芯片，MirroBit的产出率可比MLC浮门技术高达30%，因而可以大幅度改善单立的和多层堆叠产品的成本结构
* 减少40%的关键掩模层，从而可以在制造流程中降低对缺陷的敏感性，提高最终产品的质量 
* 由于采用了精简的制造流程，工厂生产速度可以提高10%
Spansion公司设计MirrorBit技术的目的是满足客户在广泛的闪存应用中对于卓越性价比的需求。因此，制造商正在取代单级和多级单元浮门技术, 将MirrorBit技术应用于先进的移动电话、掌上电脑、数码相机、服务器、电视机顶盒、打印机、网络和电信设备、游戏系统和导航设备中。
基于第二代MirrorBit技术的闪存解决方案将由AMD和富士通公司向客户提供。