成立于1979年的Ultratech是一间专注于半导体与奈米技术装置的光蚀刻系统的领导厂商，该公司于日前成功研发IC出业界第一套雷射热处理(Laser Thermal Processing; 以下简称LTP)技术装置，将能够顺利协助制造商将能应用于20奈米以下的环境。
根据该公司雷射产品技术总监冯美博士指出，Ultratech从事热处里的经验已经超过25年，最近五年的发展重心是放在90奈米层次的技术，LTP的成功开发是继铜制程在20年前改变互连技术后，第一项重大的热处理技术升级；透过LTP的应用将能此技术能大幅加快回火/活化的时间，克服许多现有的热扩散限制。Ultratech 估计LTP与开创次微米时代的前一代快速热处理技术(rapid thermal processing; RTP)一样，将成为奈米技术领域的关键技术，为产业带来革命性的影响。
透过与美国及日本各大芯片制造商合作并就LTP进行一连串的检测，在数千片8吋与12吋晶圆上测试雷射回火处理，并在一系列不同的制程条件下进行晶圆测试后显示，Ultratech的LTP技术能在数奈秒的时间内活化极浅的接点，在零发热额度的条件下达到要求的效能特性。目前这些技术已获得超过20项专利，并有40项专利正在申请流程中－预期将协助解决多未来组件小型化关键性的障碍。
Ultratech 已有生产与晶圆测试的测试结果，能支持LTP突破性的技术潜力并提供未来的延伸性，以满足ITRS发展的需求。LTP的测设结果显示其所造成的高表面集中度的突起接点(abrupt profile junctions)，可应用于20奈米以下的技术中；此外，由于其制程结果与组件及晶圆线路密度的关联性较低，这对于将技术整合至晶圆厂多元化的制程环境而言是一个相当重要的关键。
目前Ultratech 已针对量产环境进行最佳化的处理，LTP即将迈入商业的化阶段，现阶段第一套采用LTP技术平台的商业化产品是雷射瞬间回火方案(Laser spike annealing; LSA)，在过去12个月来，Ultratech 已推出多款LSA研发工具，目前也已接到第一套生产工具的订单，预计于今年底出货并于2004年开始量产供应。
除了LTP之外，多年来Ultratech也专门从事显影设备的研发、生产与销售并广泛地被应用在全球半导体及奈米科技组件的生产过程。同时，该公司也是金质与焊锡凸块蚀刻以及12吋晶圆级封装(wafer-level chip scale packaging, WLCSP)技术的领导厂商。
根据该公司雷射产品技术总监冯美博士指出，Ultratech从事热处里的经验已经超过25年，最近五年的发展重心是放在90奈米层次的技术，LTP的成功开发是继铜制程在20年前改变互连技术后，第一项重大的热处理技术升级；透过LTP的应用将能此技术能大幅加快回火/活化的时间，克服许多现有的热扩散限制。Ultratech 估计LTP与开创次微米时代的前一代快速热处理技术(rapid thermal processing; RTP)一样，将成为奈米技术领域的关键技术，为产业带来革命性的影响。
透过与美国及日本各大芯片制造商合作并就LTP进行一连串的检测，在数千片8吋与12吋晶圆上测试雷射回火处理，并在一系列不同的制程条件下进行晶圆测试后显示，Ultratech的LTP技术能在数奈秒的时间内活化极浅的接点，在零发热额度的条件下达到要求的效能特性。目前这些技术已获得超过20项专利，并有40项专利正在申请流程中－预期将协助解决多未来组件小型化关键性的障碍。
Ultratech 已有生产与晶圆测试的测试结果，能支持LTP突破性的技术潜力并提供未来的延伸性，以满足ITRS发展的需求。LTP的测设结果显示其所造成的高表面集中度的突起接点(abrupt profile junctions)，可应用于20奈米以下的技术中；此外，由于其制程结果与组件及晶圆线路密度的关联性较低，这对于将技术整合至晶圆厂多元化的制程环境而言是一个相当重要的关键。
目前Ultratech 已针对量产环境进行最佳化的处理，LTP即将迈入商业的化阶段，现阶段第一套采用LTP技术平台的商业化产品是雷射瞬间回火方案(Laser spike annealing; LSA)，在过去12个月来，Ultratech 已推出多款LSA研发工具，目前也已接到第一套生产工具的订单，预计于今年底出货并于2004年开始量产供应。
除了LTP之外，多年来Ultratech也专门从事显影设备的研发、生产与销售并广泛地被应用在全球半导体及奈米科技组件的生产过程。同时，该公司也是金质与焊锡凸块蚀刻以及12吋晶圆级封装(wafer-level chip scale packaging, WLCSP)技术的领导厂商。
