飞兆半导体的全新中压MOSFET采用空间节省型封装可优化电能应用

本文作者:飞兆半导体公司       点击: 2014-02-14 14:51
前言:
    中国北京  – 2014年2月13日 –许多终端应用 – 比如IP电话、电机控制电路、有源钳位开关和负载开关 – 需要以更小的尺寸提供更高的能效,以便满足制造商的要求。飞兆半导体开发了FDMC86xxxP系列P沟道PowerTrench® MOSFET,在尺寸减小的同时可实现卓越的开关速度和功耗性能。
    该系列包括FDMC86261P 150 V和FDMC86139P 100 V P沟道MOSFET。与竞争对手的器件相比,这类P沟道MOSFET具有更好的开关性能品质因数(FOM),比竞争对手提供的最佳器件还要高出67%。此外,其导通损耗减小了46%,开关损耗减小了38%。因此,设计人员能够缩小尺寸并提高系统整体性能。
    相比竞争对手提供的5 mm x 6 mm封装解决方案,该系列器件采用3 mm x 3 mm MLP封装,可节省电路板空间。此外,FDMC86xxxP系列可满足客户对于耗散更少功率实现更高能效的更低  热特性需求。该器件还具有同尺寸器件中最低的导通电阻RDS(ON)。
    飞兆半导体低压产品营销总监Mike Speed表示:“众所周知,传统产品因功耗高而效率低下,不适用于如今的电源和电机控制电路。客户如果转而采用FDMC86xxxP系列器件,那么在其应用中就能使功耗降低多达50%,从而提升系统整体性能,并降低其终端产品中的能耗,有助于节省全球资源。”
主要功能:
极低RDS(ON)中压P沟道硅技术,优化得到较低的Qg
非常适合快速开关应用以及负载开关应用
100%经过UIL®测试
符合 RoHS 标准
    空间受限型应用以及我们的客户和其所服务的市场要求DC-DC电源的尺寸更小、电流更高,基于对这一需求的理解,飞兆半导体量身定制结合了功能、工艺和创新封装技术的节能型解决方案,从而能使您的电子设计与众不同。
价格: 1000 件的价格(美元)
FDMC86261P: 0.80美元(提供样品)
FDMC86139P: 0.68美元(提供样品)
可供: 按需提供样品
交货期: 收到订单后的8到10 周内
联系信息:
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飞兆半导体公司简介
  
    美国飞兆半导体公司 (Fairchild Semiconductor;纳斯达克交易所代号:FCS) - 全球营运、本地支持、创新观念。飞兆半导体专为功率及便携设计提供高能效、易于应用及高增值的半导体解决方案。我们帮助客户开发差异化的产品,并以我们在功率和信号路径产品上的专业知识解决他们遇到的困难技术挑战。查询更多信息,请访问网站:
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