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Vishay发布首颗用于软开关拓扑的双片600V快速体二极管N沟道MOSFET

本文作者：Vishay 点击： 2014-12-09 15:08

前言：

2014年12月9日--日前，Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代号：VSH）宣布，发布600V EF系列快速体二极管N沟道功率MOSFET的两款器件---SiHx28N60EF和SiHx33N60EF。Vishay Siliconix SiHx28N60EF和SiHx33N60EF具有低向恢复电荷和导通电阻，能够在工业、电信、计算和可再生能源应用中提高可靠性，节约能源。

今天推出的600V快速体二极管MOSFET采用第二代超级结技术制造，很好地补充了Vishay现有的标准E系列元器件，扩充类似相移桥和LLC转换器半桥等可用于零电压开关(ZVS)/软开关拓扑的产品。

SiHx28N60EF和SiHx33N60EF的反向恢复电荷(Qrr)比标准MOSFET低10倍以上，可在这些应用中提高可靠性。低反向恢复电荷使器件能够更快地再次隔离完全击穿电压，有助于避免因击穿和热过应力而失效。另外，减小Qrr使器件的反向恢复损耗低于标准的MOSFET。

28A SiHx28N60EF和33A SiHx33N60EF有4种封装，分别具有123Ω和98Ω的超低导通电阻及栅极电荷，能够在太阳能逆变器、服务器和通信电源系统、ATX/银盒PC开关电源、焊接设备、UPS、电池充电器、半导体生产设备，以及LED和HID照明等高功率、高性能的开关电源应用里实现极低的传导损耗和开关损耗，从而节约能源。

这些器件可承受雪崩和整流模式里的高能脉冲，保证极限值100%通过UIS测试。MEOSFET符合RoHS，无卤素。

器件规格表：

编号	V_DS (V) (最小值)	I_D (A) @ 25 °C	R_DS(on) (mΩ) @ 10 V (最大值)	Q_G(nC) @ 10 V (典型值)	封装
SiHP28N60EF	600	28	123	80	TO-220
SiHB28N60EF	600	28	123	80	TO-263
SiHF28N60EF	600	28	123	80	TO-220F
SiHG28N60EF	600	28	123	80	TO-247AC
SiHP33N60EF	600	33	98	103	TO-220
SiHB33N60EF	600	33	98	103	TO-263
SiHG33N60EF	600	33	98	103	TO-247AC

VISHAY简介

Vishay Intertechnology, Inc. 是在纽约证券交易所上市（VSH）的“财富1000 强企业”，是全球分立半导体（二极管、MOSFET和红外光电器件）和无源电子元件（电阻器、电感器、电容器）的最大制造商之一。这些元器件可用于工业、计算、汽车、消费、电信、军事、航空航天、电源及医疗市场中几乎所有类型的电子设备和装备。凭借产品创新、成功的收购战略，以及“一站式”服务使Vishay成为了全球业界领先者。有关Vishay的详细信息，敬请浏览网站 www.vishay.com。

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