ARM与联华电子达成最新的28HPC POP工艺合作,扩大28纳米IP

本文作者:ARM       点击: 2016-02-06 17:07
前言:
2016年2月5日--ARM 宣布,从即日起全球晶圆专工领导者联华电子(UMC)的28纳米28HPCU工艺可采用ARM® Artisan® 物理IP平台和ARM POP™ IP。
 
此举将扩大ARM在 28纳米IP的领先地位,使得ARM的生态合作伙伴能够通过所有主要的晶圆代工厂获得最广泛的28纳米基础IP。该全面性平台包括标准元件库(standard cell libraries)和记忆编译器(memory compilers)以及POP技术,可支持获业界广泛采用的64位ARM Cortex®-A53,以及应用于超过10亿部手机的高能效ARM Cortex-A7。
 
ARM物理设计事业部总经理Will Abbey表示:”对于越来越多要求低功耗的应用来说,28纳米处理器节点技术始终被认为是最合适的解决方案。联华电子与ARM共同推出的全面性28纳米平台,包括了能支持ARM最受欢迎两款处理器核心的POP IP。这将通过优化系统级芯片 (SoC)实施,实现与移动、物联网和嵌入式市场的创新同步。”
 
广获市场采用的ARM基础28纳米IP,为业界所有领先的晶圆代工厂提供一致的逻辑架构,并赋予多源外包更高的灵活性。这将有利于现有及新的28纳米SoC设计,快速满足数十亿连网设备的需求。通过采用联华电子28HPCU工艺的POP IP,客户可以更快速地响应市场需求变化并把握新的商机。
 
联华电子利用28纳米的长节点特性,帮助越来越多应用获取价格和性能优势。联华电子的28HPCU是第二代HKMG 28纳米工艺,它拥有比联华电子量产的28HPM技术更佳的功耗和性能表现。采用更严格的工艺控制和SPICE模型,联华电子的28HPCU在任何特定的性能阀值条件下都能降低功耗并减少面积。
 
联华电子企业营销副总简山杰表示:“作为全球少数能够提供28纳米后闸极(gate-last)HKMG工艺的晶圆代工厂之一,联华电子凭借在28纳米领域所积累的经验优势,将推动28HPCU工艺实现量产。许多来自不同应用领域的客户已与联华电子达成合作,采用28HPCU工艺设计产品。通过与ARM之间的长期合作,联华电子能够为ARM两款极高能效的处理器核提供全面的POP IP设计平台。”
 
关于ARM
ARM致力于研发半导体知识产权、并已成为全球先进数字产品的核心。ARM的技术驱动了新市场的发展与产业和社会的转型,并无形地为全球网络用户创造新机遇。其低功耗且可弹性配置的处理器及相关技术为任何需要计算功能的领域加入智能功能,应用范围横跨传感器到服务器,覆盖智能手机、平板电脑、数字电视、企业级基础架构与物联网应用。
 
ARM创新技术被合作伙伴广泛的授权采用,基于ARM架构的芯片累积出货量迄今已突破750亿。ARM通过ARM Connected Community为开发者、设计人员及工程师们消除了行业创新障碍,并为领先的电子企业提供快速且可靠的产品上市渠道。如欲加入社区讨论,请点击链接: http://community.arm.com