华虹半导体90纳米嵌入式闪存工艺平台成功量产

本文作者:华虹半导体       点击: 2016-04-06 12:52
前言:
2016年4月6日--全球领先的200mm纯晶圆代工厂——华虹半导体有限公司(「华虹半导体」或「公司」,连同其附属公司,统称「集团」,股份代号:1347.HK)今天宣布公司90纳米嵌入式闪存(eFlash)工艺平台已成功实现量产,基于该平台制造的芯片以其尺寸小、功耗低、性能高的特点,具有很强的市场竞争优势。
 
华虹半导体自主研发的90纳米低功耗(LP)嵌入式闪存(eFlash)工艺平台,是国内最先进的200mm晶圆嵌入式存储器技术,可与标准逻辑工艺完全兼容;在确保高性能和高可靠性的基础上,提供了极小面积的低功耗Flash IP;具有极高集成度的基本单元库,与0.11微米eFlash工艺相比,门密度提升30%以上。基于这些优点,华虹半导体90纳米eFlash工艺的芯片面积较0.11微米eFlash工艺平台,减小30%以上,再加上较低的光罩成本优势,能够为SIM卡、Ukey、SWP、社保卡、交通卡等智能卡和安全芯片产品以及MCU产品提供极佳性价比的芯片制造技术解决方案。
 
华虹半导体嵌入式非易失性存储器平台是公司最重要的战略工艺平台之一,从0.35微米、0.18微米、0.11微米,到现在的90纳米,一路走来,始终保持着业界领先地位,稳定可靠的工艺平台为多家客户提供了优质产品,受到客户广泛认可。同时,公司通过持续在该技术领域的深耕发展,已成为智能卡IC生产领域的技术领导者、全球最大的智能卡IC代工者。
 
华虹半导体执行副总裁孔蔚然博士表示,华虹半导体是嵌入式非易失性存储器制造工艺技术方面的专家,能够在相对更小的芯片上发挥卓越性能。相信90纳米eFlash工艺的成功量产将推动新一代应用的快速发展。公司将通过进一步缩小Flash基本存储单元、提升基本单元库的集成度、并减少光罩层数,持续追求具有更小芯片和更低成本的解决方案,继续成为智能卡及微控制器等多种快速发展的嵌入式非易失性存储器应用的首选半导体代工公司。

关于华虹半导体有限公司
华虹半导体(股份代号:1347.HK)是全球具领先地位的200mm纯晶圆代工厂,主要专注于研发及制造专业应用的200mm晶圆半导体,尤其是嵌入式非易失性存储器及功率器件。集团的技术组合还包括RFCMOS、模拟及混合讯号、电源管理及MEMS等若干其他先进工艺技术。根据IHS的资料,按2015年销售收入总额计算,集团是全球第二大200mm纯晶圆代工厂。集团生产的半导体被应用于不同市场(包括电子消费品、通讯、计算机、工业及汽车)的各种产品中。利用自身的专有工艺及技术,集团为多元化的客户制造其设计规格的半导体。通过位于上海的三座晶圆厂,集团目前的200mm晶圆加工能力在中国名列前茅,截至2015年12月31日合计约为每月146,000片。同时,考虑到工艺的性能、成本及制造良率,集团亦提供设计支持服务,以便对复杂的设计进行优化。
 
华虹半导体有限公司现时主要业务透过位于上海的子公司上海华虹宏力半导体制造有限公司(「华虹宏力」)开展。而华虹宏力由原上海华虹NEC电子有限公司和上海宏力半导体制造有限公司新设合并而成。
 
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