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2016年4月19日--ARM和全球晶圆代工领导者联华电子今日宣布一项全新的战略合作，双方将共同研发多个物理IP平台，帮助联华电子客户轻松地在系统级芯片（SoC）设计中嵌入ARM® Artisan® 物理IP，缩短产品上市时间。
该合作协议涵盖了汽车、物联网和移动应用，从用于物联网应用的55 ULP平台、到针对前沿移动应用的14纳米FinFET测试芯片。2015年，基于ARM Artisan 物理IP的芯片出货量达98亿颗，此项合作有望进一步巩固ARM作为半导体行业逻辑和存储器IP领先供应商的地位。
ARM物理设计事业部总经理Will Abbey表示：“随着互联世界催生对于移动、物联网和嵌入式市场更大的需求，设计的复杂性正日益提高。联华电子选择ARM作为其最重要的物理IP提供商，这将为我们共同的芯片合作伙伴提供一套强大的工具和平台，以优化SoC实施方案并加快产品上市速度。”
联华电子高级副总裁兼IP开发和设计支持部门负责人简山杰表示：“拥有一系列无与伦比的先进和专业技术，联华电子能很好满足我们客户在广阔应用领域的需求。我们与ARM合作关系的扩展使我们能够继续提供全面的设计平台，提高集成度，并进一步发挥性能和功耗优势，使客户轻松应对不断涌现的新机会。”
关于ARM
ARM致力于研发半导体知识产权、并已成为全球先进数字产品的核心。ARM的技术驱动了新市场的发展与产业和社会的转型，并无形地为全球网络用户创造新机遇。其低功耗且可弹性配置的处理器及相关技术为任何需要计算功能的领域加入智能功能，应用范围横跨传感器到服务器，覆盖智能手机、平板电脑、数字电视、企业级基础架构与物联网应用。
ARM创新技术被合作伙伴广泛的授权采用，基于ARM架构的芯片累积出货量迄今已突破750亿。ARM通过ARM Connected Community为开发者、设计人员及工程师们消除了行业创新障碍，并为领先的电子企业提供快速且可靠的产品上市渠道。如欲加入社区讨论，请点击链接： http://community.arm.com
关于联华电子（UMC）
联华电子身为半导体晶圆专工业界的领导者，提供先进工艺与晶圆制造服务，为IC产业各项主要应用产品生产芯片。联电完整的解决方案能让芯片设计公司利用尖端技术的优势，包括28纳米Poly-SiON技术、High-K/Metal Gate后闸极技术、混合信号／RFCMOS技术，以及其它涵盖广泛的特殊工艺技术。联电现共有十座晶圆厂，其中包含位于台湾的Fab 12A与新加坡的Fab 12i等两座12英寸厂。Fab 12A厂第一至四期目前生产最先进至28纳米的客户产品，第五、六期已兴建完成，第七、八期则已在规划当中。联电在全球约有超过15,000名员工，在台湾、中国大陆、欧洲、日本、韩国、新加坡及美国均设有服务据点，以满足全球客户的需求。更多详情，请访问UMC网站：http://www.umc.com
联华电子身为半导体晶圆专工业界的领导者，提供先进工艺与晶圆制造服务，为IC产业各项主要应用产品生产芯片。联电完整的解决方案能让芯片设计公司利用尖端技术的优势，包括28纳米Poly-SiON技术、High-K/Metal Gate后闸极技术、混合信号／RFCMOS技术，以及其它涵盖广泛的特殊工艺技术。联电现共有十座晶圆厂，其中包含位于台湾的Fab 12A与新加坡的Fab 12i等两座12英寸厂。Fab 12A厂第一至四期目前生产最先进至28纳米的客户产品，第五、六期已兴建完成，第七、八期则已在规划当中。联电在全球约有超过15,000名员工，在台湾、中国大陆、欧洲、日本、韩国、新加坡及美国均设有服务据点，以满足全球客户的需求。更多详情，请访问UMC网站：http://www.umc.com
