2013 年 12 月5 日--日前,Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代号:VSH)宣布,推出业界首款采用2.4mm x 2.0mm x 0.4mm CSP MICRO FOOT®封装尺寸的-20V器件---Si8851EDB,扩展其TrenchFET® P沟道Gen III功率MOSFET。Vishay Siliconix Si8851EDB是为在移动计算设备中提高效率和节省空间而设计的,在-4.5V和-2.5V栅极驱动下分别具有8.0mΩ和11.0mΩ的极低导通电阻。
Si8851EDB把P沟道Gen III技术与MICRO FOOT的无封装CSP技术,以及30pin设计和引脚布局结合在一起,在给定的面积内提供了尽可能低的导通电阻。与最接近的2mm x 2mm x 0.8mm器件相比,Si8851EDB的高度薄50%,在4.5V栅极驱动下的导通电阻几乎只有一半,单位封装尺寸的导通电阻低37%。Si8851EDB的导通电阻接近3.3mm x 3.3mm x 0.8mm的MOSFET,外形尺寸小56%,单位封装尺寸的导通电阻低30%以上。