2014年3月11日--日前，Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代号：VSH）宣布，发布其2014年“Super 12”明星产品。每年，Vishay都会挑出12款采用全新技术，能够大幅提高终端产品和系统性能的重要半导体和无源元器件。Vishay的Super 12集中展示了公司在半导体和无源器件的卓越实力，并且让人能从中了解Vishay的广泛产品组合。
2014年的Super 12产品如下：
Vishay Dale WSLP表面贴装Power Metal Strip® 电阻—WSLP是用于高性能产品如汽车、计算机、工业和消费应用，采用小尺寸外形，具有10W高功率和低至0.0003Ω的极低阻值，以及0.5%的严格阻值容差。
采用SMPA封装的Vishay Semiconductors TMBS® Trench MOS势垒肖特基整流器—45V器件在3A电流下的正向压降低至0.37V，高度为0.95mm，采用SMPA封装，通过AEC-Q101认证，适合汽车应用，50V整流器适用于智能手机和平板电脑的充电器。
Vishay Sfernice PRAHT高精度薄膜SMD卷包片式电阻—PRAHT 4电阻网络适用于高温钻井和航空应用，工作温度从-55℃到+215℃，最高储存温度达+230℃，是业内首个采用薄膜技术制造的排阻。
Vishay Semiconductors TCPT1350X01/TCUT1350X01 SMD透射式光传感器—通过AEC-Q101认证的单通道TCPT1350X01和双通道TCUT1350X01适合汽车和工业应用，工作温度高达+125℃，间隙宽3.0mm，典型输出电流为1.6mA。
Vishay Dale IHCL复合耦合电感器—IHCL器件采用IHLP® 技术制造，可在SEPIC DC/DC转换器中实现高性能。器件在小尺寸10.16mm x 10.67mm封装里集成了两个电感器，耦合超过90%，工作温度高达+155℃。
Vishay Siliconix SiZ340DT双通道N沟道30V MOSFET—非对称双通道功率MOSFET采用TrenchFET ® Gen IV技术，比采用PowerPAIR 3mm x 3 mm封装尺寸的前一代器件的导通电阻低57%，功率密度高25%，效率高5%。
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