作为一家半导体逻辑非易失性存储器（NVM）知识产权（IP）供应商，Kilopass科技有限公司今天宣布，成长战略咨询和市场研究的重要供应商Frost & Sullivan授予其2012年NVM全球技术创新奖。Kilopass在标准逻辑CMOS过程的基础上将NVM位密度提高四倍，因而获得该奖对虚拟交叉点存储器（VCM）的表彰。VCM的成本仅为带类SRAM芯片区的嵌入式或外部闪存的一半不到，且现场可编程性十分灵活，因而，从微控制器到触摸屏驱动程序的许多应用程序均能从VCM中获利。
Kilopass科技公司的总裁和首席执行官Charlie Cheng说道："我们很高兴能获得Frost & Sullivan的这个奖项。这个奖项认可了Kilopass在逻辑NVM空间上不断创新的追求。我们在2002年创造了首个逻辑反熔丝技术，而该技术现在被用于从游戏机到汽车的终端产品的大批量生产。我们可以利用VCM，通过增加容量和性能，将我们的目标市场扩大到包括微控制器的嵌入式系统，同时减少4倍的内存占用。"
在2012年非易失性存储器全球技术创新奖中，Frost & Sullivan用五项标准对三家提供NVM存储器的公司进行评估：(1) 独特的技术；(2) 对新产品/应用程序的影响；(3) 对功能的影响；(4) 对顾客价值的影响；(5) 创新与行业的相关性。每一项满分为10分，Kilopass在前两项和最后一项的分数为8分，其余两项的分数为9分，平均分为8.8分。另两家公司在评奖中的加权平均值为7.8分和6.6分。Kilopass明显胜出。
Frost & Sullivan半导体组研究分析师表示："通过VCM位技术，Kilopass使顾客能享受高位NVM，从而提供了更高的价值。这种技术能满足从180纳米到20纳米的规格的多种设备的要求。对于许多需要紧凑外观、高电池寿命和大存储量的产品和新应用程序来说，它是一种十分理想的技术。"
关于虚拟交叉点存储器
在重新设计的VCM存储单元中，每个位数据需要的空间仅为嵌入式闪存存储单元占用内存的四分之一 VCM存储单元的小尺寸是通过新的硅晶体管结构实现的。制造传统晶体管需要N-阱顶部的P+门，这比将相邻晶体管隔离的浅沟槽隔离（STI）要深。利用这种传统技术制造的反熔丝晶体管需要较大的存储单元，以适应门下深N阱及其相关的间距规则。新VCM存储单元集成了比STI更浅的N阱，并使用P基片，使相邻存储单元晶体管之间绝缘。（欲知更多有关VCM技术的信息，请点击这里。要观看Kilopass的首席技术官Harry Luan讲解VCM技术，请点击这里。）
关于技术创新奖
Frost & Sullivan的技术创新奖是最佳实践奖的一部分，对于公司在各种区域和全球市场里，在领导能力、技术创新、客户服务和战略产品开发方面 展示出的杰出成就和卓越表现做出认可。该奖完全以被评估的产品、服务或技术的优劣作为依据。研究过程的第一阶段侧重于重点行业面临的挑战。当这些都确定后，就可能找出应对这些挑战的适用的测量方式。下一阶段为根据与供货商、供应商与客户之间的深入交谈而进行的市场调研。当公司的产品、服务或技术超过预先设定的标准时，分析师团队会通过一套严格的方法，确定可能被提名的公司。不管公司的规模多大、是公开上市企业还是私营企业、是否与Frost & Sullivan有业务往来，奖项均适用于所有公司。Frost & Sullivan遵循这种模式，以保证过程100%的公正。
关于Frost & Sullivan
Frost & Sullivan是一家成长合伙公司。它使客户能加快成长，在成长、创新和领导力中达到该级别中最佳的水平。公司的成长合伙服务为首席执行官和首席执行官的成长团队提供训练研究和最佳实践模式，以推动强劲成长战略的产生、评估和实施。Frost & Sullivan充分利用其在过去50年里，与全球1000家公司、新兴企业以及来自六大洲的投资界的超过40个办事处的合作经验。要加入我们的成长合伙项目，请访问
