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2015年05月05日--全球知名半导体制造商ROHM面向工业设备和太阳能发电功率调节器等的逆变器、转换器，开发出额定1200V/300A的“全SiC”功率模块“BSM300D12P2E001”。
本产品实现了300A的额定电流，因此可用于工业设备用的大容量电源等更大功率的应用中。另外，与一般的IGBT模块相比，开关损耗降低了77%，可高频驱动，因此还非常有助于周边元器件和冷却系统等的小型化。
本模块已经开始出售样品，预计于2015年6月份开始量产出货。前期工序的生产基地为ROHM Apollo Co., Ltd.（福冈县），后期工序的生产基地为ROHM总部工厂（京都市）
＜背景＞
自从ROHM于2012年3月世界首家开始将内置的功率半导体元件全部由碳化硅组成的“全SiC”功率模块投入量产以来，生产的1200V/120A、180A产品在工业设备等中的采用越来越广泛。因其优异的节能效果，支持更大电流的产品阵容倍受期待，但为了最大限度地发挥SiC产品的特点---高速开关性能，需要开发能够抑制开关时浪涌电压影响（大电流化带来的课题）的新封装。
自从ROHM于2012年3月世界首家开始将内置的功率半导体元件全部由碳化硅组成的“全SiC”功率模块投入量产以来，生产的1200V/120A、180A产品在工业设备等中的采用越来越广泛。因其优异的节能效果，支持更大电流的产品阵容倍受期待，但为了最大限度地发挥SiC产品的特点---高速开关性能，需要开发能够抑制开关时浪涌电压影响（大电流化带来的课题）的新封装。
此次，ROHM通过优化芯片配置和模块内部结构，与以往产品相比，成功地大幅降低了模块内部电感。由此，可抑制浪涌电压，从而实现了300A的更大电流。
今后，ROHM还会继续开发支持更高耐压的模块，并使用沟槽式结构的SiC元器件，开发出更大额定电流的产品，不断强化产品阵容。
＜特点＞
1. 降低开关损耗，实现高频化
与同等额定电流的IGBT模块相比，开关损耗降低了77％。将IGBT模块替换为本产品有望大幅降低开关损耗，进一步实现冷却机构的小型化。另外，通过更高频率的开关动作，还可实现线圈和电容器等周边元器件的小型化。通过使用SiC模块，不仅可实现更高效率，还有助于设备的小型化。
2. 降低封装内部电感，实现更大电流
随着对功率模块产品的更大额定电流的追求，开关工作时的浪涌电压也不断增大，因此，需要降低封装内部的电感。本产品通过优化内置SiC元件的配置及内部格局，开发出内部电感比以往产品降低约一半的封装。由此，成功开发出额定电流300A的产品。
＜本产品的组成＞
・搭载SiC-SBD和SiC-MOSFET的“全SiC”模块产品
・使用与标准的IGBT模块同样外形的封装
・搭载热敏电阻
・保证Tjmax=175℃
＜SiC功率模块的产品阵容＞
＜术语解说＞
・电感
表示使流动的电流发生变化时因电磁感应产生的电动势的大小的量。
・电感
表示使流动的电流发生变化时因电磁感应产生的电动势的大小的量。
・热敏电阻
对于温度变化，电阻变化较大的电阻体。作为测量温度的传感器使用。
对于温度变化，电阻变化较大的电阻体。作为测量温度的传感器使用。
・IGBT（Insulated Gate Bipolar Transistor）
绝缘栅双极晶体管。在栅极装有MOSFET的双极晶体管。
绝缘栅双极晶体管。在栅极装有MOSFET的双极晶体管。
・MOSFET（Metal-Oxide-Semiconductor Field Effect Transistor）
金属－氧化物－半导体场效应晶体管。是FET中最被普遍使用的结构。作为开关元件使用。
金属－氧化物－半导体场效应晶体管。是FET中最被普遍使用的结构。作为开关元件使用。
・SBD（Schottky Barrier Diode）
通过使金属和半导体接触从而形成肖特基结，利用其可获得整流性（二极管特性）的二极管。具有“无少数载流子存储效应、高速性能卓越”的特点。
通过使金属和半导体接触从而形成肖特基结，利用其可获得整流性（二极管特性）的二极管。具有“无少数载流子存储效应、高速性能卓越”的特点。
【关于ROHM（罗姆）】
ROHM（罗姆）成立于1958年，由最初的主要产品-电阻器的生产开始，历经半个多世纪的发展，已成为全球知名的半导体厂商。ROHM的“企业目的”是:我们始终将产品质量放在第一位。无论遇到多大的困难，都将为国内外用户源源不断地提供大量优质产品，并为文化的进步与提高作出贡献。
ROHM（罗姆）成立于1958年，由最初的主要产品-电阻器的生产开始，历经半个多世纪的发展，已成为全球知名的半导体厂商。ROHM的“企业目的”是:我们始终将产品质量放在第一位。无论遇到多大的困难，都将为国内外用户源源不断地提供大量优质产品，并为文化的进步与提高作出贡献。
历经半个多世纪的发展，ROHM的生产、销售、研发网络遍及世界各地。产品涉及多个领域，其中包括IC、分立元器件、光学元器件、无源元件、模块、半导体应用产品以及医疗器具。在世界电子行业中，ROHM的众多高品质产品得到了市场的许可和赞许，成为系统IC和最新半导体技术方面首屈一指的主导企业。
【关于ROHM（罗姆）在中国的业务发展】
作为在中国市场的销售网点，最早于1974年成立了ROHM半导体香港有限公司。随后，在1999年成立了ROHM半导体（上海）有限公司，2003年成立了ROHM半导体贸易（大连）有限公司，2006年成立了ROHM半导体（深圳）有限公司。为了迅速且准确应对不断扩大的中国市场的要求，ROHM在中国构建了与ROHM总部同样的集开发、销售、制造于一体的一条龙体制。作为ROHM的特色，积极开展“密切贴近客户”的销售活动，力求向客户提供周到的服务。自2010年下半年起陆续增设了西安、成都、重庆、武汉、长春等5家内陆地区的分公司之后，又于2014年新增了合肥分公司，目前在全国共设有21处销售网点，其中包括香港、上海、大连、深圳这4家销售公司以及其17家分公司（分公司：北京、天津、青岛、长春、南京、合肥、苏州、杭州、宁波、西安、武汉、东莞、广州、厦门、珠海、成都、重庆）。并且，正在逐步扩大分销网络。
作为在中国市场的销售网点，最早于1974年成立了ROHM半导体香港有限公司。随后，在1999年成立了ROHM半导体（上海）有限公司，2003年成立了ROHM半导体贸易（大连）有限公司，2006年成立了ROHM半导体（深圳）有限公司。为了迅速且准确应对不断扩大的中国市场的要求，ROHM在中国构建了与ROHM总部同样的集开发、销售、制造于一体的一条龙体制。作为ROHM的特色，积极开展“密切贴近客户”的销售活动，力求向客户提供周到的服务。自2010年下半年起陆续增设了西安、成都、重庆、武汉、长春等5家内陆地区的分公司之后，又于2014年新增了合肥分公司，目前在全国共设有21处销售网点，其中包括香港、上海、大连、深圳这4家销售公司以及其17家分公司（分公司：北京、天津、青岛、长春、南京、合肥、苏州、杭州、宁波、西安、武汉、东莞、广州、厦门、珠海、成都、重庆）。并且，正在逐步扩大分销网络。
作为技术基地，在上海和深圳设有设计中心和QA中心，提供技术和品质支持。设计中心配备精通各类市场的开发和设计支持人员， 可以从软件到硬件以综合解决方案的形式，针对客户需求进行技术提案。并且，当产品发生不良情况时，QA中心会在24小时以内对申诉做出答复。
作为生产基地，1993年在天津（ROHM半导体（中国）有限公司）和大连(ROHM电子大连有限公司)分别建立了生产工厂。在天津进行二极管、LED、激光二极管、LED显示器、光传感器的生产、在大连进行电源模块、热敏打印头、接触式图像传感头、图片链接模块、LED照明模块、光传感器、LED显示器的生产，作为ROHM的主力生产基地，源源不断地向中国国内外提供高品质产品。
此外，作为社会贡献活动中的一环，ROHM还致力于与国内外众多研究机关和企业加强合作，积极推进产学研联合的研发活动。2006年与清华大学签订了产学联合框架协议，积极地展开关于电子元器件最尖端技术开发的产学联合。2008年，在清华大学内捐资建设“清华ROHM电子工程馆”，并已于2011年4月竣工。2012年，在清华大学设立了“清华-ROHM联合研究中心”，从事“微能量装置、硅发光体、生物传感器、中国数字广播（解调器）”等联合研究项目。除清华大学之外，ROHM还与西安交通大学、电子科技大学、浙江大学和同济大学等高校进行产学合作，不断结出丰硕成果。
ROHM将以长年不断积累起来的技术力量和高品质以及可靠性为基础，通过集开发、生产、销售为一体的扎实的技术支持、客户服务体制，与客户构筑坚实的合作关系，作为扎根中国的企业，为提高客户产品实力、客户业务发展以及中国的节能环保事业做出积极贡献。
