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VisIC Technologies Ltd推出新一代产品，创造业界纪录
前言：
其氮化镓设备能以最高频率创造最高效率
2016年6月6日--VisIC Technologies欣然宣布推出新一代高级低损耗开关V22S65A（配有内部碳化硅二极管）和V22N65A（不配有内部碳化硅二极管）。
（图片：http://photos.prnewswire.com/prnh/20160603/375139 ）
（图片：http://photos.prnewswire.com/prnh/20160603/375140 ）
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VisIC Technologies欣然宣布推出新一代高级低损耗开关V22S65A（配有内部碳化硅二极管）和V22N65A（不配有内部碳化硅二极管）。
这一新版VisIC高级低损耗开关产品系列可以显著减少米勒效应(MILLER effect)，支持轻松提供将被用于基于VisIC的设计的标准驱动电路。这些新设备还能帮助降低关于特殊应用所用材料的费用。
V22系列产品在拓扑方面非常有效，能够被用于零电压开关(Zero Voltage Switching)或零电流开关(Zero Current Switching)拓扑领域。在650伏氮化镓/碳化硅MOSFET晶体管中，该系列拥有最低的导通电阻(Rdson)，而且可以凭借超过100V/nS的压摆率，实现效率超高的功率变换。
此外，由于阈值电压超过了5伏，新款设备在恶劣的EMI（电磁干扰）环境中也能很好地工作。
VisIC Technologies已经凭借其半桥(Half Bridge)演示电路板的强大性能，展示了其所创造的全球纪录 -- 在输出功率达2.5KW的硬切换拓扑中，频率达200 kHz时，最高效率超过99.3%。
VisIC Technologies ltd简介
VisIC Technologies, Ltd.总部位于以色列耐斯兹敖那，2010年由一群氮化镓(GaN)技术专家创立，旨在开发和销售基于氮化镓的先进功率变换产品。VisIC已经成功开发了基于氮化镓的大功率晶体管和模块（氮化镓预计将会取代如今在功率变换系统中使用的大多数硅基产品），并将这些产品投放市场。VisIC已经让其氮化镓技术获得了专门保护专利，目前还在申请其它专利。
VisIC Technologies, Ltd.总部位于以色列耐斯兹敖那，2010年由一群氮化镓(GaN)技术专家创立，旨在开发和销售基于氮化镓的先进功率变换产品。VisIC已经成功开发了基于氮化镓的大功率晶体管和模块（氮化镓预计将会取代如今在功率变换系统中使用的大多数硅基产品），并将这些产品投放市场。VisIC已经让其氮化镓技术获得了专门保护专利，目前还在申请其它专利。
