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Vishay的新款600V和650V E系列MOSFET提高了可靠性并减小封装电感

本文作者：Vishay 点击： 2016-07-15 15:51

前言：

MOSFET节省空间，可替代TO-252(DPAK)封装的器件，适用于照明、计算和消费应用

2016年7月15日--日前，Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代号：VSH）宣布，推出3颗采用小尺寸PowerPAK® SO-8L封装的N沟道器件---SiHJ8N60E、SiHJ6N65E和SiHJ7N65E，扩充其600V和650V E系列功率MOSFET。Vishay Siliconix 600V SiHJ8N60E和650V SiHJ6N65E、SiHJ7N65E更省空间，可替代TO-252(DPAK)封装的MOSFET，具有高可靠性和小封装电感，可用于照明、工业、电信、计算和消费应用。

今天推出的MOSFET由Vishay Siliconix设计和开发，表面贴装PowerPAK SO-8L封装完全符合RoHS，无卤素，无铅。SiHJ8N60E、SiHJ6N65E和SiHJ7N65E的尺寸为5mm x 6mm，占板空间和高度只有TO-252(DPAK)封装器件的一半。而且，与无引线DFN封装的MOSFET相比，在整机设备的使用寿命内碰到温度循环情况时，PowerPAK SO-8L的鸥翼引线结构能有效提高板级的可靠性。

SiHJ8N60E、SiHJ6N65E和SiHJ7N65E使用Vishay最新的高能效E系列超级结技术制造，在10V下的最大导通电阻只有0.52Ω，栅极电荷低至17nC，导通电阻与栅极电荷乘积更低，该参数是评价功率转换应用中MOSFET的优值系数。在功率因数校正、反激、双管正激转换器，以及HID和LED照明、工业、电信、消费和计算类应用的电源适配器等硬开关拓扑中，这些参数意味着MOSFET能实现极低的传导和开关损耗，有效节约能源。

MOSFET可承受雪崩和换相模式中的高能脉冲，保证限值通过100%的UIS测试。

器件规格表：

产品编号	V_DS (V)	V_GS (V)	I_D (A) @ 25 °C	R_DS(ON) (Ω) @ 10 V (最大值)	Q_g (nC) @ 10 V (典型值)
SiHJ8N60E	600	± 30	8.0	0.520	22
SiHJ6N65E	650	± 30	5.6	0.868	16
SiHJ7N65E	650	± 30	7.9	0.598	22

SiHJ8N60E、SiHJ6N65E和SiHJ7N65E MOSFET现可提供样品，并已实现量产，供货周期为十六周。

VISHAY简介
Vishay Intertechnology, Inc. 是在纽约证券交易所上市（VSH）的“财富1000 强企业”，是全球分立半导体（二极管、MOSFET和红外光电器件）和无源电子元件（电阻器、电感器、电容器）的最大制造商之一。这些元器件可用于工业、计算、汽车、消费、电信、国防、航空航天、电源及医疗市场中几乎所有类型的电子设备和装备。凭借产品创新、成功的收购战略，以及“一站式”服务使Vishay成为了全球业界领先者。有关Vishay的详细信息，敬请浏览网站 www.vishay.com。
PowerPAK®是Siliconix incorporated的注册商标。

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