器件型号 |
XPH4R10ANB |
XPH6R30ANB |
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极性 |
N沟道 |
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绝对最大额定值 |
漏源极电压 VDSS (V) |
100 |
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漏极电流 (DC) ID (A) |
70 |
45 |
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漏极电流 (脉冲) IDP (A) |
210 |
135 |
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沟道温度 Tch (℃) |
175 |
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漏源极导通电阻 RDS(ON)最大值 (mΩ) |
@VGS=6V |
6.2 |
9.5 |
@VGS=10V |
4.1 |
6.3 |
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沟道至外壳热阻 Zth(ch-c) 最大值 @Tc=25℃ (℃/W) |
0.88 |
1.13 |
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封装 |
SOP Advance(WF) |
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产品系列 |
U-MOSVIII-H |
U-MOSVIII-H |
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