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东芝面向车载应用推出采用紧凑型封装的100V N沟道功率MOSFET

本文作者：东芝点击： 2019-12-25 13:51

前言：

2019年12月25日--东芝电子元件及存储装置株式会社（“东芝”）今日宣布，推出两款面向车载48V电气系统应用的新型100V N沟道功率MOSFET。该系列包括具备低导通电阻的“XPH4R10ANB”-其漏极电流为70A，以及“XPH6R30ANB”-其漏极电流为45A。批量生产和出货计划于今天开始。

MOSFET产品图

新产品是东芝首款[1]采用紧凑型SOP Advance（WF）封装的车用100V N沟道功率MOSFET。封装采用可焊锡侧翼端子结构，安装在电路板上时能够进行自动目视检查，从而有助于提高可靠性。新型MOSFET的低导通电阻有利于降低设备功耗；XPH4R10ANB拥有业界领先的[2]低导通电阻。

应用：
・汽车设备
电源装置（DC-DC转换器）和LED头灯等（电机驱动、开关稳压器和负载开关）

特性：
・东芝的首款[1]100V车用产品使用小型表面贴装SOP Advance（WF）封装
・通过AEC-Q101认证
・低导通电阻：
RDS(ON)=4.1mΩ（最大值）@VGS=10V（XPH4R10ANB）
RDS(ON)=6.3mΩ（最大值）@VGS=10V（XPH6R30ANB）
・采用可焊锡侧翼端子结构的SOP Advance（WF）封装

主要规格：

（除非另有说明，@Ta=25°C）

器件型号		XPH4R10ANB	XPH6R30ANB
极性		N沟道
绝对最大额定值	漏源极电压 VDSS （V）	100
	漏极电流（DC） ID （A）	70	45
	漏极电流（脉冲） IDP （A）	210	135
	沟道温度 Tch （℃）	175
漏源极导通电阻 RDS(ON)最大值（mΩ）	@VGS=6V	6.2	9.5
	@VGS=10V	4.1	6.3
沟道至外壳热阻 Zth(ch-c) 最大值 @Tc=25℃ （℃/W）		0.88	1.13
封装		SOP Advance（WF）
产品系列		U-MOSVIII-H	U-MOSVIII-H

注释：
[1] 截至2019年12月25日
[2] 在同样规格的产品中，截至2019年12月25日。东芝调查。

如需了解有关新产品的更多信息，请访问以下网址：
https://toshiba-semicon-storage.com/cn/product/igbt-iegt/igbt/detail.XPH4R10ANB.html
https://toshiba-semicon-storage.com/cn/product/igbt-iegt/igbt/detail.XPH6R30ANB.html

如需了解有关东芝车载MOSFET的更多信息，请访问以下网址：
https://toshiba.semicon-storage.com/cn/product/automotive/automotive-mosfet.html

*公司名称、产品名称和服务名称可能是其各自公司的商标。

关于东芝电子元件及存储装置株式会社
东芝电子元件及存储装置株式会社，主要从事电子元器件事业和存储产品事业。其中电子元器件事业包含占市场大份额的分立器件、以及业界先进的系统LSI。在分立半导体领域，集中力量在控制设备功耗的功率器件等产品。在系统LSI领域，通过用于物联网、汽车电子、通信和电源应用领域的LSI产品，推动全球电子设备的发展。存储产品事业主要在机械硬盘（HDD）领域，着重开发面向数据中心等企业级大容量存储产品。东芝通过加强电子元器件事业和存储产品事业，为支持和推动智能社区和智能生活的建设提供广泛的半导体解决方案及应用。

更多信息请访问：https://toshiba-semicon-storage.com

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