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东芝推出全新1200V和1700V碳化硅MOSFET模块，助力实现尺寸更小，效率更高的工业设备

本文作者：东芝点击： 2022-01-26 12:02

前言：

2022年1月26日--东芝电子元件及存储装置株式会社（“东芝”）今日宣布，推出两款全新碳化硅（SiC）MOSFET双模块---“MG600Q2YMS3”和“MG400V2YMS3”：前者额定电压为1200V，额定漏极电流为600A；后者额定电压为1700V，额定漏极电流为400A。作为东芝首批具有上述额定电压的产品，它们与之前发布的MG800FXF2YMS3共同组成了1200V、1700V和3300V器件产品线。

这两种新模块在安装方式上兼容广泛使用的硅（Si）IGBT模块。两种新模块的低损耗特性满足了工业设备对提高效率、减小尺寸的需求，例如用于轨道车辆的转换器和逆变器以及可再生能源发电系统。

 应用：

- 用于轨道车辆的逆变器和转换器

- 可再生能源发电系统

- 电机控制设备

- 高频DC-DC转换器

 特性：

- 安装方式兼容Si IGBT模块

- 损耗低于Si IGBT模块

MG600Q2YMS3

V_DS(on)sense＝0.9V（典型值）@I_D＝600A，T_ch＝25℃

E_on＝25mJ（典型值），E_off＝28mJ（典型值）@V_DS＝600V，I_D＝600A，T_ch＝150℃

MG400V2YMS3

V_DS(on)sense＝0.8V（典型值）@I_D＝400A，T_ch＝25℃

E_on＝28mJ（典型值），E_off＝27mJ（典型值）@V_DS＝900V，I_D＝400A，T_ch＝150℃

- 内置NTC热敏电阻

 主要规格：

（除非另有说明，@Tc＝25℃）

器件型号			MG600Q2YMS3	MG400V2YMS3
封装			2-153A1A
绝对最大额定值	漏极-源极电压VDSS（V）		1200	1700
	栅极-源极电压VGSS（V）		+25／-10	+25／-10
	漏极电流（直流）ID（A）		600	400
	漏极电流（脉冲）IDP（A）		1200	800
	结温Tch（℃）		150	150
	隔离电压Visol（Vrms）		4000	4000
电气特性	漏极-源极导通电压（感应） VDS(on)sense典型值（V）	@VGS＝+20V， Tch＝25℃	0.9 @ID＝600A	0.8 @ID＝400A
	源极-漏极导通电压（感应） VSD(on)sense典型值（V）	@VGS＝+20V， Tch＝25℃	0.8 @IS＝600A	0.8 @IS＝400A
	源极-漏极关断电压（感应） VSD(off)sense典型值（V）	@VGS＝-6V， Tch＝25℃	1.6 @IS＝600A	1.6 @IS＝400A
	开通损耗 Eon典型值（mJ）	@Tch＝150℃	25 @VDS＝600V， ID＝600A	28 @VDS＝900V， ID＝400A
	关断损耗 Eoff典型值（mJ）	@Tch＝150℃	28 @VDS＝600V， ID＝600A	27 @VDS＝900V， ID＝400A
热敏电阻特性	额定NTC电阻 R典型值（kΩ）		5.0	5.0
热敏电阻特性	NTC B值 B典型值（K）	@TNTC＝25℃-150℃	3375	3375