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东芝推出采用最新一代工艺的150V N沟道功率MOSFET，可大幅提高电源效率

本文作者：东芝点击： 2022-03-31 11:35

前言：

2022年3月31日--东芝电子元件及存储装置株式会社（“东芝”）今日宣布，推出150V N沟道功率MOSFET---“TPH9R00CQH”。该器件采用最新一代[1]“U-MOSX-H”工艺，适用于工业设备开关电源，其中包括数据中心电源和通信基站电源。该产品于今日开始支持批量出货。

与使用当前一代“U-MOSⅧ-H”工艺的150V产品TPH1500CNH相比，TPH9R00CQH的漏源导通电阻下降约42%。对新型MOSFET的结构优化促进实现源漏导通电阻和两项电荷特性[2]之间的平衡[3]，从而实现了优异的低损耗特性。此外，开关操作时漏极和源极之间的尖峰电压降低，有助于减少开关电源的电磁干扰（EMI）。该产品提供SOP Advance和更为广泛采用的SOP Advance（N）这两种类型的表面贴装封装。

与此同时，东芝还提供各类工具，为开关电源的电路设计提供支持。除了能快速验证电路功能的G0 SPICE模型，现在还提供能精确再现瞬态特性的高精度G2 SPICE模型。

东芝将进一步扩大其MOSFET产品线，通过减少损耗提高设备电源效率，进而帮助其降低功耗。

 应用：

- 通信设备电源

- 开关电源（高效率DC-DC转换器等）

 特性：

- 优异的低损耗特性（在导通电阻和栅开关电荷及输出电荷间取得平衡）

- 卓越的导通电阻：RDS(ON)＝9.0mΩ（最大值）@VGS＝10V

- 高额定结温：Tch（最大值）＝175℃

 主要规格：

（除非另有说明，@Ta＝25℃）

器件型号			TPH9R00CQH
绝对最大额定值	漏源电压VDSS（V）		150
	漏极电流（直流） ID（A）	@Tc＝25℃	64
	结温Tch（℃）		175
电气特性	漏源导通电阻 RDS(ON)最大值（mΩ）	@VGS＝10V	9.0
		@VGS＝8V	11
	总栅电荷（栅极-源极＋栅极-漏极） Qg典型值（nC）		44
	栅极开关电荷Qsw典型值（nC）		11.7
	输出电荷Qoss典型值（nC）		87
	输入电容Ciss典型值（pF）		3500
封装	名称		SOP Advance	SOP Advance（N）
	尺寸典型值（mm）		5.0×6.0	4.9×6.1
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