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Transphorm的表面贴装封装产品系列增加行业标准TO-263 (D2PAK)封装产品,扩大SuperGaN平台的优势

本文作者:Transphorm       点击: 2022-07-19 10:39
前言:
新型50mOhm SuperGaN场效应晶体管简化并加快基于氮化镓的高功率系统的开发,适用于数据中心和广泛工业应用
2022年7月19日--高可靠性、高性能氮化镓(GaN)电源转换产品的先锋和全球供应商Transphorm, Inc. (Nasdaq: TGAN) 今天宣布,新增的TP65H050G4BS器件扩充了其表面贴装封装产品系列。这款全新高功率表面贴装器件(SMD)是一款采用TO-263 (D2PAK) 封装的650V SuperGaN®场效应晶体管 (FET),典型导通阻抗为50mOhm。TP65H050G4BS是Transphorm的第七款SMD,丰富了目前面向中低功率应用的PQFN器件。
 
 
TP65H050G4BS通过了JEDEC认证,为设计者和制造商提供了多项优势,赋能他们开发通常用于数据中心和广泛工业应用的高功率(数千瓦到几千瓦)系统。它具有Transphorm一流的可靠性、栅极稳健性(±20 Vmax)和抗硅噪声阈值(4V),以及氮化镓技术所具备的易设计性和驱动性能。工程师们需要使用较大的D2PAK来满足更高的功率和表面贴装封装需求。与PQFN封装相比,D2PAK可以实现更好的热性能,同时帮助用户通过单一的制造流程提高PCB组装效率。
 
D2PAK可作为分立器件提供,也可配套垂直子卡,以提高Transphorm的2.5kW AC-DC无桥图腾柱功率因素校正(PFC)评估板TDTTP2500B066B-KIT的功率密度。它还可以切换至1.2kW同步半桥TDHBG1200DC100-KIT评估板,以驱动多千瓦功率。
 
Transphorm全球营销、应用和业务发展高级副总裁Philip Zuk表示:“D2PAK是对我们产品组合的一个重要补充。它将我们的SMD产品的可用性拓展至高功率领域,而之前我们用通孔器件支持这些应用。客户可获得我们氮化镓平台的多项优势,如熟悉的TO-XXX封装消除了设计挑战、简化了系统开发并加快了产品上市速度。”
 
Transphorm是当前提供标准TO-XXX封装的高压氮化镓器件的唯一氮化镓供应商。值得注意的是,鉴于其固有的栅极损坏敏感性,这些封装产品不支持替代性的增强型氮化镓技术。
 
产品供应
上述器件和评估板可通过下述链接在Digi-Key和Mouser上购买:
TP65H050G4BS FET:Digi-Key / Mouser
2.5 kW评估板(TDTTP2500B066B-KIT):Digi-Key / Mouser
1.2 kW 评估板 (TDHBG1200DC100-KIT):Digi-Key / Mouser

关于Transphorm
Transphorm, Inc.是氮化镓革命的全球领导者,致力于设计、制造和销售用于高压电源转换应用的高性能、高可靠性的氮化镓半导体功率器件。Transphorm拥有最庞大的功率氮化镓知识产权组合之一,持有或取得授权的专利超过1,000多项,在业界率先生产经JEDEC和AEC-Q101认证的高压氮化镓半导体器件。得益于垂直整合的业务模式,Transphorm能够在产品和技术开发的每一个阶段进行创新:设计、制造、器件和应用支持。Transphorm的创新正在使电力电子设备突破硅的局限性,以使效率超过99%、将功率密度提高40%以及将系统成本降低20%。Transphorm的总部位于加州戈利塔,并在戈利塔和日本会津设有制造工厂。如需了解更多信息,请访问 https://www.transphormchina.com/zh/。欢迎在Twitter @transphormusa和微信@Transphorm_GaN上关注我们。