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东芝推出具有更低导通电阻的小型化超薄封装共漏极MOSFET，适用于快充设备

本文作者：东芝点击： 2023-05-18 15:36

前言：

2023年5月18日--东芝电子元件及存储装置株式会社（“东芝”）今日宣布，推出额定电流为20A的12V共漏极N沟道MOSFET“SSM14N956L”，该器件可用于移动设备锂离子（Li-ion）电池组中的电池保护电路。该产品于今日开始支持批量出货。

锂离子电池组依靠高度稳定的保护电路来减少充放电时产生的热量，以提高安全性。这些电路必须具有低功耗和高密度封装的特性，同时要求MOSFET小巧纤薄，且具有更低的导通电阻。

SSM14N956L采用东芝专用的微加工工艺，已经发布的SSM10N954L也采用该技术。凭借业界领先[1]的低导通电阻特性实现了低功耗，而业界领先[1]的低栅源漏电流特性又保证了低待机功耗。这些特性有助于延长电池的使用时间。此外，新产品还采用了一种新型的小巧纤薄的封装TCSPED-302701（2.74mm×3.0mm，厚度＝0.085mm（典型值）。

东芝将继续开发用于锂离子电池组供电设备中的保护电路的MOSFET产品。

 应用

- 家用电器采用锂离子电池组的消费类电子产品以及办公和个人设备，包括智能手机、平板电脑、充电宝、可穿戴设备、游戏控制器、电动牙刷、迷你数码相机、数码单反相机等。

 特性

- 业界领先的[1]低导通电阻：RSS(ON)＝1.1mΩ（典型值）@VGS＝3.8V

- 业界领先的[1]低栅源漏电流：IGSS＝±1μA（最大值）@VGS＝±8V

- 小型化超薄TCSPED-302701封装：2.74mm×3.0mm，厚度＝0.085mm（典型值）

- 共漏极结构，可方便地用于电池保护电路

 主要规格

（除非另有说明，Ta＝25℃）

器件型号			SSM14N956L	SSM10N954L^[2]
配置			N沟道共漏极
绝对最大额定值	源极-源极电压VSSS（V）		12
	栅极-源极电压VGSS（V）		±8
	源极电流（DC）IS（A）		20.0	13.5
电气特性	栅源漏电流IGSS 最大值（μA）	@VGS＝±8V		±1
	源极-源极导通电阻RSS(ON) 典型值（mΩ）	@VGS＝4.5V	1.00	2.1
		@VGS＝3.8V	1.10	2.2
		@VGS＝3.1V	1.25	2.4
		@VGS＝2.5V	1.60	3.1
封装	名称		TCSPED-302701	TCSPAC-153001
	尺寸典型值（mm）		2.74×3，厚度＝0.085	1.49×2.98，厚度＝0.11
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