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Vishay Gen 3 650 V和1200 V SiC肖特基二极管在提高效率的同时增强电绝缘性
前言：
这些1 A和2 A器件采用小尺寸SlimSMA HV (DO-221AC)封装，提供了低电容电荷和3.2 mm的较大最小爬电距离
2025年7月29日--日前，威世科技Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代号：VSH）宣布，推出三款采用超小尺寸薄型SlimSMA HV（DO-221AC）封装的全新第三代 650 V和1200 V碳化硅（SiC）肖特基二极管---2 A的 VS-3C02EJ07-M3和1 A 的VS-3C01EJ12-M3以及2 A的VS-3C02EJ12-M3。这些器件采用合并PIN肖特基（MPS）设计，最小爬电距离为3.2 mm，融合低电容电荷与温度不变的开关特性等优点，可提高高速硬开关电源设计的效率。
对于高压应用，Vishay日前发布的器件的高爬电距离增强了电绝缘性能，而其SlimSMA HV封装采用CTI 600的模制化合物，以确保出色的电绝缘性。对于空间受限的设计，这些二极管厚度仅为0.95 mm，而具有类似封装尺寸的SMA和SMB封装竞品的厚度为2.3 mm。
与硅二极管不同，VS-3C01EJ12-M3、VS-3C02EJ07-M3和VS-3C02EJ12-M3在任何温度下都能保持低至7.2 nC的低容性电荷，从而加快开关速度，降低功率损耗，提高高频应用的效率。此外，这些器件几乎没有恢复尾电流，从而进一步提高了效率，而其MPS结构可降低正向压降至1.30 V。
VS-3C01EJ12-M3、VS-3C02EJ07-M3和VS-3C02EJ12-M3的工作温度高达+175 C，其典型应用包括服务器电源中使用的DC/DC和AC/DC转换器的自举二极管、防并联二极管和PFC二极管；发电和存储系统；工业驱动器和工具；以及X射线发生器。这些器件具有正温度系数，便于在这些应用中实现并联。
这些二极管符合RoHS标准，无卤素，湿度灵敏度等级为1，符合J-STD-020标准，并满足JESD 201第二类whisker 测试要求。
器件规格表：
|
产品编号 |
VS-3C01EJ12-M3 |
VS-3C02EJ07-M3 |
VS-3C02EJ12-M3 |
|
IF (A) |
1 |
2 |
2 |
|
VR (V) |
1200 |
650 |
1200 |
|
（VF at IF (V)） |
1.35 |
1.30 |
1.35 |
|
IR at VR at 175 ℃(μA) |
4.5 |
2.0 |
5.0 |
|
QC (nC) |
7.5 |
7.2 |
13 |
|
配置 |
SlimSMA HV (DO-221AC) |
||
|
封装 |
单个 |
||
新款SiC二极管现可提供样品并已实现量产，供货周期为14周。
VISHAY简介
Vishay 是全球最大的分立半导体和无源电子元件系列产品制造商之一，这些产品对于汽车、工业、计算、消费、通信、航空航天和医疗市场的创新设计至关重要。服务于全球客户，Vishay承载着科技基因——The DNA of tech. ®。Vishay Intertechnology, Inc. 是在纽约证券交易所上市（VSH）的“财富1,000 强企业”。有关Vishay的详细信息，敬请浏览网站 www.vishay.com。
The DNA of tech®是Vishay Intertechnology的商标。
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